Měření v elektronice

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Po prostudováni budete schopni· Objasnit pojmy: merení, elektrické merení, mericí prístroje, presnost merení, analogový a digitální merící prístroj, citlivost mericího prístroje, rozlišovací schopnost, mericí rozsah, chyba merení, prímé a neprímé merící metody.· Popsat správný postup pri merení univerzálními mericími prístroji.· Objasnit postup pri merení techto velicin: elektrické napetí, elektrický proud, elektrický odpor, kapacita kondensátoru.· Vysvetlit funkci osciloskopu.· Vysvetlit merení diod, tranzistoru, tyristoru a triaku. Nakreslit príslušná zapojení pro merení.

Vydal: MASARYKOVA UNIVERZITA V BRNĚ PEDAGOGICKÁ FAKULTA Autor: Josef Pecina, Pavel Pecina

Strana 22 z 24

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
. Tímto obvodem prověříme: A/ Závěrnou charakteristiku diody Součástka pořádku, pokud změříme velmi malý proud (10-6 až –4 A) při napětí 120V. Součástka vadná, pokud změříme velký proud při napětí 120V. Součástka vadná, pokud naměříme velký proud při napětí 120V. Měřicí proud měl být menší, jak mA, aby součástka nebyla přetížena. Měřená součástka pořádku, pokud změříme velmi malý proud (10-6 až –4 A) při napětí 120V. tím dána polarita měření.: 1. Tyto nové součástky není třeba nijak měřit. C/ Blokovací charakteristiku triaku III kvadrantu. 1.. Napětí UBE může být maximálně 1,5V. B/ Závěrnou charakteristiku tyristoru T1. Součástka vadná, pokud naměříme velký proud při napětí 120V. Nezapojené tranzistory můžeme měřit ohmetrem nebo testerem přechodu PN.Tranzistory mohou zkoušet zapojené nebo nezapojené.11. Přesto při podezření zničení součástky nebo pokud chceme ověřit jejich správnou funkci, můžeme měření realizovat následujících zapojeních. Měřená součástka pořádku, pokud změříme velmi malý proud (10-6 až –4 A) při napětí 120V. Pokud větší hodnotu, zpravidla tranzistor špatný. Měření tyristorů triaků V elektronických konstrukcích většinou používáme nové tyristory triaky. všech měření třeba dávat pozor typ tranzistoru (PNP nebo NPN). Měří přechody mezi bází kolektorem a mezi bází emitorem. zapojených tranzistorů měří napětí mezi bází emitorem- UBE napětí mezí kolektorem emitorem UCE