Konstrukční příručka SENSIT

| Kategorie: Firemní tiskovina  | Tento dokument chci!

Vydal: SENSIT s.r.o.

Strana 30 z 99







Poznámky redaktora
sensit. - elektromigrací při použití napájecího napětí a/nebo proudu nad předepsanou hodnotu. Poruchy snímačů teploty jejich příčiny U odporových snímačů teploty mohou vyskytnout typy poruch: 1. Týká se zejména snímačů. Tímto procesem srovnávají hodnoty elektrického odporu kalibrovaného snímače hodnotami etalonu jedné, dvou respektive třech a více teplotách. Tři body více se kalibruje tam, kde potřeba znát skutečnou teplotní charakteristiku snímače teploty v celém teplotním intervalu daném spodní horní teplotou požadované kalibrace viz. Počet bodů kalibrační body určuje uživatel měřidla. Obr. Kalibrace provádí obvykle třech bodech.cz -29- . Výstupem kalibrace kalibrační list. Změna teploty odpovídající rozdílu (Re vdané teplotě nesmí vybočit intervalu dané třídy přesnosti měřené teplotě. Kalibrace prováděná požadavek zákazníka. Příklad kalibrace snímače teploty třech bodech Každý snímač projde výstupním měřením. Zvýšený elektrický odpor - může být způsobený korozí přívodních vodičů vlivem vlhkostí, která svém důsledku může vést přerušení měřícího obvodu - korozí vodivé dráhy teplotního čipu způsobené vysokou teplotou nebo vlhkostí, která rovněž svém důsledku vede přerušení měřícího obvodu. 18.5EN5IT Kalibrace snímačů teploty. Nejistotu kalibrace nejvíc ovlivňuje konstrukce kalibrovaného snímače, možnost jeho ponoření média teplota, při které kalibrace provádí. Kalibrací určenými třemi více) body lze proložit křivku závislosti elektrického odporu teplotě pro ten daný konkrétní kalibrovaný snímač teploty. Nejlepší nejistota kalibrační laboratoře firmy Sensit 0,05 °C. Kalibrace souhrn úkonů, kterými stanoví specifikovaných podmínek vztah mezi kalibrovaným snímačem etalonem. Poznámka: kalibrace v jednom dvou bodech není zcela vyhovující, protože uživatel nemá dostatek informací o snímači neumožňuje dobře pracovat naměřenými hodnotami. obr. elektrickém tepelném) poli teplotního čipu dochází migraci atomů kovu aktivní vrstvy, teplejšího místa místu chladnějšímu od místa vyšším elektrickým potenciálem místu nižším elektrickým www