Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
stejné
mu jevu dochází styku polykrystalického selenu kovem.
Budeme-li přechod trvale osvětlovat, budou neustále uvolňovat
vazby elektronových dvojic přechodu budou rekom binovat inoritní
a ajoritní nosiče. vrstvě zaslala kladná díra vrstvě N
záporný elektron.
Spojíme-li vrstvu vrstvou vnějším elektrickým obvodem bude se
moci rovnovážný stav obnovovat tokem inoritních nosičů přes vnější
elektrický obvod (G) místo rekom binaeí ajoritních nosičů rozhraní
obou vrstev. přechodu novou přehradu,
l/v. Vnějším obvodem bude procházet elektrický proud.
Pro přípravu přechodu používá germ anium křemík. 101.
Závislost fotoelektrického napětí proudu intenzitě osvětlení germ a
niového fotoelektrického člán obr. ním osvětlení
s fotoelektrickým článkem
R rclc,
<P světelný lok dopadající
n loelektrický článek (CiD)
O 101. přehradu inoritních nosičů (F). Tyto nosiče vytvářejí na.řitní nosiče rekom binuji (E). ávislost fotoelektrického napčti
a ten zitě osvětlení
u erm aniového elektrického člán u
E(lx) intenzita osvětlení
126
. Článek
se chová jako zdroj napětí luvíme tzv.
0,15
0,1
=»|>
+ GD
-o —
-O+
0 1000 2000 3000 4000 5000
_ _E_
""" Ix
O 102. ato přehrada opačnou polaritu
než přehrada ajoritních nosičů, působí proti její velikost zmenšuje.
Zm enšení potenciálové přehrady ajoritních nosičů projeví tím, že
sc obnoví rekom binace ajoritních nosičů; bude trvat tak dlouho, až
se potenciálová přehrada ajoritních nosičů zvětší původní velikost. fotoelektriekém napětí) má
polaritu odpovídající polaritě potenciálové přehrady inoritních nosičů (F).
Napětí naprázdno dosahuje křem íkového fotoelektrického článku ve
likosti asi 0,4 germ aniového asi 0,16 selenového asi 0,3 V
