Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 124 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
přechodu novou přehradu, l/v.řitní nosiče rekom binuji (E). fotoelektriekém napětí) má polaritu odpovídající polaritě potenciálové přehrady inoritních nosičů (F). stejné­ mu jevu dochází styku polykrystalického selenu kovem. ato přehrada opačnou polaritu než přehrada ajoritních nosičů, působí proti její velikost zmenšuje. 0,15 0,1 =»|> + GD -o — -O+ 0 1000 2000 3000 4000 5000 _ _E_ """ Ix O 102. Zm enšení potenciálové přehrady ajoritních nosičů projeví tím, že sc obnoví rekom binace ajoritních nosičů; bude trvat tak dlouho, až se potenciálová přehrada ajoritních nosičů zvětší původní velikost. vrstvě zaslala kladná díra vrstvě N záporný elektron. ním osvětlení s fotoelektrickým článkem R rclc, <P světelný lok dopadající n loelektrický článek (CiD) O 101. Budeme-li přechod trvale osvětlovat, budou neustále uvolňovat vazby elektronových dvojic přechodu budou rekom binovat inoritní a ajoritní nosiče. 101. přehradu inoritních nosičů (F). Pro přípravu přechodu používá germ anium křemík. Napětí naprázdno dosahuje křem íkového fotoelektrického článku ve­ likosti asi 0,4 germ aniového asi 0,16 selenového asi 0,3 V. ávislost fotoelektrického napčti a ten zitě osvětlení u erm aniového elektrického člán u E(lx) intenzita osvětlení 126 . Článek se chová jako zdroj napětí luvíme tzv. Tyto nosiče vytvářejí na. Závislost fotoelektrického napětí proudu intenzitě osvětlení germ a­ niového fotoelektrického člán obr. Spojíme-li vrstvu vrstvou vnějším elektrickým obvodem bude se moci rovnovážný stav obnovovat tokem inoritních nosičů přes vnější elektrický obvod (G) místo rekom binaeí ajoritních nosičů rozhraní obou vrstev. Vnějším obvodem bude procházet elektrický proud