Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
Zm enšení potenciálové přehrady ajoritních nosičů projeví tím, že
sc obnoví rekom binace ajoritních nosičů; bude trvat tak dlouho, až
se potenciálová přehrada ajoritních nosičů zvětší původní velikost.
0,15
0,1
=»|>
+ GD
-o —
-O+
0 1000 2000 3000 4000 5000
_ _E_
""" Ix
O 102. stejné
mu jevu dochází styku polykrystalického selenu kovem. přechodu novou přehradu,
l/v. vrstvě zaslala kladná díra vrstvě N
záporný elektron. ato přehrada opačnou polaritu
než přehrada ajoritních nosičů, působí proti její velikost zmenšuje. ním osvětlení
s fotoelektrickým článkem
R rclc,
<P světelný lok dopadající
n loelektrický článek (CiD)
O 101. Vnějším obvodem bude procházet elektrický proud. 101.řitní nosiče rekom binuji (E). přehradu inoritních nosičů (F).
Budeme-li přechod trvale osvětlovat, budou neustále uvolňovat
vazby elektronových dvojic přechodu budou rekom binovat inoritní
a ajoritní nosiče.
Pro přípravu přechodu používá germ anium křemík. Tyto nosiče vytvářejí na. Článek
se chová jako zdroj napětí luvíme tzv.
Spojíme-li vrstvu vrstvou vnějším elektrickým obvodem bude se
moci rovnovážný stav obnovovat tokem inoritních nosičů přes vnější
elektrický obvod (G) místo rekom binaeí ajoritních nosičů rozhraní
obou vrstev. ávislost fotoelektrického napčti
a ten zitě osvětlení
u erm aniového elektrického člán u
E(lx) intenzita osvětlení
126
. fotoelektriekém napětí) má
polaritu odpovídající polaritě potenciálové přehrady inoritních nosičů (F).
Závislost fotoelektrického napětí proudu intenzitě osvětlení germ a
niového fotoelektrického člán obr.
Napětí naprázdno dosahuje křem íkového fotoelektrického článku ve
likosti asi 0,4 germ aniového asi 0,16 selenového asi 0,3 V
