Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 124 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
stejné­ mu jevu dochází styku polykrystalického selenu kovem. ávislost fotoelektrického napčti a ten zitě osvětlení u erm aniového elektrického člán u E(lx) intenzita osvětlení 126 . ním osvětlení s fotoelektrickým článkem R rclc, <P světelný lok dopadající n loelektrický článek (CiD) O 101. Napětí naprázdno dosahuje křem íkového fotoelektrického článku ve­ likosti asi 0,4 germ aniového asi 0,16 selenového asi 0,3 V. Budeme-li přechod trvale osvětlovat, budou neustále uvolňovat vazby elektronových dvojic přechodu budou rekom binovat inoritní a ajoritní nosiče. Spojíme-li vrstvu vrstvou vnějším elektrickým obvodem bude se moci rovnovážný stav obnovovat tokem inoritních nosičů přes vnější elektrický obvod (G) místo rekom binaeí ajoritních nosičů rozhraní obou vrstev. ato přehrada opačnou polaritu než přehrada ajoritních nosičů, působí proti její velikost zmenšuje. Zm enšení potenciálové přehrady ajoritních nosičů projeví tím, že sc obnoví rekom binace ajoritních nosičů; bude trvat tak dlouho, až se potenciálová přehrada ajoritních nosičů zvětší původní velikost. fotoelektriekém napětí) má polaritu odpovídající polaritě potenciálové přehrady inoritních nosičů (F). Závislost fotoelektrického napětí proudu intenzitě osvětlení germ a­ niového fotoelektrického člán obr. přehradu inoritních nosičů (F). vrstvě zaslala kladná díra vrstvě N záporný elektron. Tyto nosiče vytvářejí na. Vnějším obvodem bude procházet elektrický proud. 101. přechodu novou přehradu, l/v. 0,15 0,1 =»|> + GD -o — -O+ 0 1000 2000 3000 4000 5000 _ _E_ """ Ix O 102.řitní nosiče rekom binuji (E). Článek se chová jako zdroj napětí luvíme tzv. Pro přípravu přechodu používá germ anium křemík