Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.
vrstvě zaslala kladná díra vrstvě N
záporný elektron. přechodu novou přehradu,
l/v.
Spojíme-li vrstvu vrstvou vnějším elektrickým obvodem bude se
moci rovnovážný stav obnovovat tokem inoritních nosičů přes vnější
elektrický obvod (G) místo rekom binaeí ajoritních nosičů rozhraní
obou vrstev.
Zm enšení potenciálové přehrady ajoritních nosičů projeví tím, že
sc obnoví rekom binace ajoritních nosičů; bude trvat tak dlouho, až
se potenciálová přehrada ajoritních nosičů zvětší původní velikost. ním osvětlení
s fotoelektrickým článkem
R rclc,
<P světelný lok dopadající
n loelektrický článek (CiD)
O 101. přehradu inoritních nosičů (F). Článek
se chová jako zdroj napětí luvíme tzv.
Pro přípravu přechodu používá germ anium křemík. ato přehrada opačnou polaritu
než přehrada ajoritních nosičů, působí proti její velikost zmenšuje. stejné
mu jevu dochází styku polykrystalického selenu kovem.řitní nosiče rekom binuji (E). ávislost fotoelektrického napčti
a ten zitě osvětlení
u erm aniového elektrického člán u
E(lx) intenzita osvětlení
126
. Vnějším obvodem bude procházet elektrický proud.
Budeme-li přechod trvale osvětlovat, budou neustále uvolňovat
vazby elektronových dvojic přechodu budou rekom binovat inoritní
a ajoritní nosiče.
0,15
0,1
=»|>
+ GD
-o —
-O+
0 1000 2000 3000 4000 5000
_ _E_
""" Ix
O 102. fotoelektriekém napětí) má
polaritu odpovídající polaritě potenciálové přehrady inoritních nosičů (F).
Závislost fotoelektrického napětí proudu intenzitě osvětlení germ a
niového fotoelektrického člán obr. Tyto nosiče vytvářejí na.
Napětí naprázdno dosahuje křem íkového fotoelektrického článku ve
likosti asi 0,4 germ aniového asi 0,16 selenového asi 0,3 V. 101
