Základy elektrotechniky II.

| Kategorie: Učebnice  | Tento dokument chci!

Učebnice seznamuje nejdříve se základy kreslení elektrotechnických schémat a dále probírá fyzikální základy elektrotechniky, vlastnosti a charakteristiky elektrických přístrojů a strojů a vysvětluje výrobu a rozvod elektrické energie včetně jejího využití v oblasti elektrické trakce, tepelné techniky a osvětlování. Je určena žákům 2. a 3. ročníků elektrotechnických učebních a studijních oborů středních odborných učilišť.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Ladislav Voženílek, František Lstibůrek

Strana 123 z 456

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
přechodu sc vytvoří potenciálová přehrada polaritou podle Mezi elektrodam i vznikne pásm bez volných nosičů, velkým elektrickým odporem . Příklad zapojeni fotoelektrického rezistoru obvodu pom ocným relé obr.3. y Fotoelektrický článek tvoří destička krystalu polovodiče, němž se přím ěsm trojm ocného pětim ocného prvku vytvoří přechod PN. Q $ O br. Jejich nevýhodou značná setrvačnost a velká závislost teplotě. elektrony vrstvy díry vrstvy obr.8. rozhraní vrstev oba mino- 125 .Fotorezistory jsou určeny obvodů stejnosm ěrným střídavým proudem Jejich přednosti oproti vakuovým nebo plynovým fotonkám je větší zatížitelnost, tedy ožnost přímo ovládat elektrická relé, větší spolehlivost snadnější ontáž. V klidu (tj. 2. 100. tmy) rekom binují rozhráni přechodu majoritní nosiče, Ij. otoelektrický článek a) provedení funkce, b) schem atická ačk a Osvětlím e-li přechod budou fotony dopadat vrstvu Do- padne-li foton vrstvě elektronovou dvojici, rozbije její vazbu, takže vzniknou dva volné nosiče kladná díra záporný elektron. Podobně kladná díra vrstvě odpuzována od kladné elektrody potenciálové přehrady (D). Destička s přechodem uložena prouzdře průhledným okénkem, kterým dopadá na přechod světelné zářeni. 100). Totéž stane i vrstvě Elektron, který uvolnil vrstvě inoritním no­ sičem vytlačován zápornou elektrodou potenciálové přehrady roz­ hraní obou vrstev. 99