Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 74 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Tak vzniká galvanicky odd lené symetrické napájecí nap tí
pro výstupní dvooj inný emitorový sledova T4. Zapojení modifikací
p vodní varianty Obr. Kondenzátory tedy nabíjejí konstantní nap nezávislé signálu
p enášeného transformátorkem. Emitor buzeného tranzistoru ipojen
do edu tohoto symetrického napájení.2. 7.3 Budi tranzitoru MOSFET varianta stkovým zapojením primární stran
Je-li výstupu vnit ního emitorového sledova T1-T2 ídicího obvodu logická jedni ka
(UCC), dojde sepnutí T3.
7. dob vypnutí sekundární nap záporné, D15 zav rezistor R70
. Tranzistor pak ipojuje levý konec primárního vinutí +UCC a
T3 pravý konec zem. Vypínání provádí záporným nap tím.
promární nap tedy demagnetizaci velikost UCC, ovšem opa nou polaritou než
v dob zaponutí. Buzený výkonový tranzistor sekundární stran bude sepnutý. 7.
Je-li výstupu vnit ního emitorového sledova T1-T2 logická nula, vypnutý -
buzený výkonový tranzistor bude vypnut. diodu D15 toto nap ovládá
vstup dvoj inného emitorového sledova buzený tranzistor pak sepnutý kladným
napájecím nap tím. Demagnetizace primární stran prob hne
prost ednictvím diod D2, pote magnetiza proud zdroje UCC.4 íklad zapojení budi impulsním transformátorkem vhodného pro buzení
tranzistor MOSFET IGBT. Magnetiza proud proto lineárn zanikná ovšem stejnou strmostí, níž
nar stal dob zaponutí.2 Zapojení pro buzení tranzistor MOS-FET IGBT
Na Obr.4 eno pro synchronní
galvanicky odd lené buzení dvou tranzistor . Díky tomu smí být ída budicího signálu tohoto budi e
maximáln 0,5 (prakticky spíše mén aby byl demagnetizaci dostatek asu.
Dioda D16 spolu kapacitním C30 C31 tvo špi kový usm ova Zenerovy diody
D17 D18 slouží zabezpe ení definovaného rozložení celkového nap mezi oba
kondenzátory.
V dob sepnutí sekundárním vinutí kladné nap tí. 7. Konkrétní zapojení Obr.FEKT Vysokého ení technického Brn
+UCC
ídicí obvod
D1
D2
T1
T2
T3
Obr. 7.2
