Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 74 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
2 Zapojení pro buzení tranzistor MOS-FET IGBT
Na Obr.
V dob sepnutí sekundárním vinutí kladné nap tí. Vypínání provádí záporným nap tím. Tranzistor pak ipojuje levý konec primárního vinutí +UCC a
T3 pravý konec zem.
promární nap tedy demagnetizaci velikost UCC, ovšem opa nou polaritou než
v dob zaponutí.
7. dob vypnutí sekundární nap záporné, D15 zav rezistor R70
.2.FEKT Vysokého ení technického Brn
+UCC
ídicí obvod
D1
D2
T1
T2
T3
Obr.
Je-li výstupu vnit ního emitorového sledova T1-T2 logická nula, vypnutý -
buzený výkonový tranzistor bude vypnut.
Dioda D16 spolu kapacitním C30 C31 tvo špi kový usm ova Zenerovy diody
D17 D18 slouží zabezpe ení definovaného rozložení celkového nap mezi oba
kondenzátory.3 Budi tranzitoru MOSFET varianta stkovým zapojením primární stran
Je-li výstupu vnit ního emitorového sledova T1-T2 ídicího obvodu logická jedni ka
(UCC), dojde sepnutí T3. Konkrétní zapojení Obr. Buzený výkonový tranzistor sekundární stran bude sepnutý. Zapojení modifikací
p vodní varianty Obr.2. 7. diodu D15 toto nap ovládá
vstup dvoj inného emitorového sledova buzený tranzistor pak sepnutý kladným
napájecím nap tím. 7. 7. Emitor buzeného tranzistoru ipojen
do edu tohoto symetrického napájení. Demagnetizace primární stran prob hne
prost ednictvím diod D2, pote magnetiza proud zdroje UCC.4 íklad zapojení budi impulsním transformátorkem vhodného pro buzení
tranzistor MOSFET IGBT. 7. Díky tomu smí být ída budicího signálu tohoto budi e
maximáln 0,5 (prakticky spíše mén aby byl demagnetizaci dostatek asu. Kondenzátory tedy nabíjejí konstantní nap nezávislé signálu
p enášeného transformátorkem. Magnetiza proud proto lineárn zanikná ovšem stejnou strmostí, níž
nar stal dob zaponutí.4 eno pro synchronní
galvanicky odd lené buzení dvou tranzistor . Tak vzniká galvanicky odd lené symetrické napájecí nap tí
pro výstupní dvooj inný emitorový sledova T4
