Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 73 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
2c).: iliš rychlé vypínání ináší také problémy „forward“ ekmity nulových resp. init problémy požadavku strmý
proudový impuls zapínání (nabíjení velké kapacity hradla zapínání). Místo demagnetizace
pomocí Zenerovy diody zde použito stkové zapojení, podobn jako jedno inného
m stkového propustného transformátorem. Zde azen pouze pro zapínání vypínání zkratov .
Na Obr.
demagnetiza ních diodách, ekmit tranzistoru, rušení velkým du/dt. že
zp sobit zarušení (paralýzu) innosti ídicího obvodu injektovaným rušivým proudem vlivem
du/dt. Proto nechceme spínat tranzistor íliš
rychle. Zapínací ztráty nejsou velké íliš rychlé zapnutí zhoršuje
zotavovací zkrat demagnetiza diody komuta zkrat sekundárním usm ova i
(p ekmity tamních parazitních induk nostech). Zvýšíme-li jádra k-krát toroid paraleln žeme pro stejné
sycení použít k-krát mén závit vzoste také k-krát.
Díky tomu bude sice menší magnetiza proud sycení, ale bude tší primární sekundární
induk nost tedy induk nost rozptylová. Pak lze použít krajní ešení podle
Obr.
Zvyšujeme tím ovšem rozptylovou induk nost (snižujeme schopnost rychlého zapínání). 7.
U výkonových pulsním transformátorem zapínání asto odleh eno rozptylovou
induk ností transformátoru.
. Dalším
problémem velkého závit tší parazitní kapacita galvanického odd lení. Naopak pot ebujeme nap redukovat vypínací ztráty (vysoký spínací kmito et) a
chceme tak proces vypínání oproti zapínání urychlit.3 modifikace zapojení vpdního budi Obr. Induk nost však dána sou inem a
kvadrátu závit Induk nost klesne tedy k-krát, což íznivé. Použijeme-li tento rezistor, musíme návrhu donit, bude
ovliv ovat (zpomalovat) proces demagnetizace.
Velikost musíme volit ohledem vybíjecího tranzistoru tak, aby tento byl
v saturaci maximální (po áte ní) hodnot vybíjecího proudu.2.
Rezistor zapojený paraleln sekundárnímu vinutí slouží utlumení rezonan ních kmit
vyvolaných sepnutí vypnutí mezi rozptylovou induk ností transformátorku znými
parazitními kapacitami. 7.
Pozn.
Z vodu minimalizace parazitní kapacity galvanického odd lení vhodné vinout primární a
sekundární vinutí odd leln (naprotui sob toroidním jád e), nikoliv spole (bifilárn ).
Chceme-li zabránit esycení itom docílit tvrdého transformátorku malým rozptylem
(malá induk nost rozptylová malá induk nost hlavní málo závit vhodné adit kolik
menších toroid paraleln Roste tak jádra, aniž rostla délka silo áry tvar vhodný
pro omezení rozptylu.ídicí leny elektrických pohonech 73
Praktické poznámky:
ím menší ztrátový výkon volíme Zenerov diod tím vyšší vyjde pot ebný závit .7. tší hodnot nebude
T2 saturaci, což inese efekt, jakobychom zvýšili pro proces vypínání hodnotu RG
