Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 73 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Naopak pot ebujeme nap redukovat vypínací ztráty (vysoký spínací kmito et) a
chceme tak proces vypínání oproti zapínání urychlit. Proto nechceme spínat tranzistor íliš
rychle. Zde azen pouze pro zapínání vypínání zkratov .
demagnetiza ních diodách, ekmit tranzistoru, rušení velkým du/dt.
Na Obr.7. Dalším
problémem velkého závit tší parazitní kapacita galvanického odd lení.
Rezistor zapojený paraleln sekundárnímu vinutí slouží utlumení rezonan ních kmit
vyvolaných sepnutí vypnutí mezi rozptylovou induk ností transformátorku znými
parazitními kapacitami.2c).2.
Chceme-li zabránit esycení itom docílit tvrdého transformátorku malým rozptylem
(malá induk nost rozptylová malá induk nost hlavní málo závit vhodné adit kolik
menších toroid paraleln Roste tak jádra, aniž rostla délka silo áry tvar vhodný
pro omezení rozptylu. 7.: iliš rychlé vypínání ináší také problémy „forward“ ekmity nulových resp.
Díky tomu bude sice menší magnetiza proud sycení, ale bude tší primární sekundární
induk nost tedy induk nost rozptylová.ídicí leny elektrických pohonech 73
Praktické poznámky:
ím menší ztrátový výkon volíme Zenerov diod tím vyšší vyjde pot ebný závit .3 modifikace zapojení vpdního budi Obr. Použijeme-li tento rezistor, musíme návrhu donit, bude
ovliv ovat (zpomalovat) proces demagnetizace. 7.
U výkonových pulsním transformátorem zapínání asto odleh eno rozptylovou
induk ností transformátoru. Pak lze použít krajní ešení podle
Obr. že
zp sobit zarušení (paralýzu) innosti ídicího obvodu injektovaným rušivým proudem vlivem
du/dt. tší hodnot nebude
T2 saturaci, což inese efekt, jakobychom zvýšili pro proces vypínání hodnotu RG.
Velikost musíme volit ohledem vybíjecího tranzistoru tak, aby tento byl
v saturaci maximální (po áte ní) hodnot vybíjecího proudu. Zapínací ztráty nejsou velké íliš rychlé zapnutí zhoršuje
zotavovací zkrat demagnetiza diody komuta zkrat sekundárním usm ova i
(p ekmity tamních parazitních induk nostech). Zvýšíme-li jádra k-krát toroid paraleln žeme pro stejné
sycení použít k-krát mén závit vzoste také k-krát.
. Induk nost však dána sou inem a
kvadrátu závit Induk nost klesne tedy k-krát, což íznivé.
Pozn. Místo demagnetizace
pomocí Zenerovy diody zde použito stkové zapojení, podobn jako jedno inného
m stkového propustného transformátorem.
Zvyšujeme tím ovšem rozptylovou induk nost (snižujeme schopnost rychlého zapínání). init problémy požadavku strmý
proudový impuls zapínání (nabíjení velké kapacity hradla zapínání).
Z vodu minimalizace parazitní kapacity galvanického odd lení vhodné vinout primární a
sekundární vinutí odd leln (naprotui sob toroidním jád e), nikoliv spole (bifilárn )
