Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 72 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Proto zde volíme jádro toroidní. tím
souvisí široká problematika týkající chování silového obvodu Tyto souvislosti
eší podrobn výkonová elektronika. Volbu
velikosti provedeme zkušenosti, pop zkusmo pozd vhodnost volby
ov íme žeme výpo opakovat menším tší jádrem.FEKT Vysokého ení technického Brn
Λ
⋅
=
⋅
= 2
1
2
max
22
1
max
1
22
1
N
sTU
f
L
sTU
LP CCCC
ZD (7.7) zjistíme pot ebný závit abychom
nep ekro ili tuto ztrátu:
fP
sU
N CC
Λ
=
2
max
1 (7. Stejná energie, jaká vloží kapacity hradla
výkonového tranzistoru jeho sepnutí (nabití) hem procesu nabíjení zma teplo na
rezistoru innost nabíjení kondenzátoru rezistor zdroje konstantního nap je
v 50%). Pro vyšší spínací
frekvence nebo vyšší kapacity hradla buzeného tranzistoru ležitá
minimalizace rozptylu transformátorku.
Vypínáme-li tranzistor nulovým nap tím zapínáme nap tím pak energie zma ená na
teplo každém sepnutí každém vypnutí:
2
2
1
UCW GS= (7. (7.8)
4) Pomocí (7. využití plochy okna
pro vinutí.
3) Zvolíme ztrátový výkon Zenerov diod podle dispozic vybrané konkrétní
sou ástky, obvykle 1W.
2) Podle (7. Zvolíme jistou rezervu, ovšem
nevolíme nap íliš vysoké vypínání tranzistor namáhán nap tím
UCC 0,6V).2) kontrolujeme, zda jádro nep esytí
5) Navrhneme vinutí kontrolujeme realizovatelnost resp.9)
Spínáme-li tranzistor pracovním kmito tem pak rezistoru vzniká ztrátový výkon:
fUCfWP GSR
2
2 =⋅⋅= (7. ípad pot eby výpo opakujeme menším tším jádrem
Rezistor RG:
Velikost odporu ovliv uje rychlost spínání vypínání výkonového tranzistoru.7)
Návrh impulsního transformátorku:
1) Zvolíme vhodné feritové jádro impulsního transformátorku.
Z hlediska návrhu budicích obvod užite domit, ztrátový výkon rezistoru RG
je zcela nezávislý velikosti RG. Totéž platí pro vybíjecí proces.5) spo teme pot ebné minimální nap Zenerovy diody podle
zamýšlené maximální ídy ídicího signálu.10)
