Řídící členy v elektrických pohonech

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka

Strana 72 z 101

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Vypínáme-li tranzistor nulovým nap tím zapínáme nap tím pak energie zma ená na teplo každém sepnutí každém vypnutí: 2 2 1 UCW GS= (7.8) 4) Pomocí (7.9) Spínáme-li tranzistor pracovním kmito tem pak rezistoru vzniká ztrátový výkon: fUCfWP GSR 2 2 =⋅⋅= (7. Volbu velikosti provedeme zkušenosti, pop zkusmo pozd vhodnost volby ov íme žeme výpo opakovat menším tší jádrem.2) kontrolujeme, zda jádro nep esytí 5) Navrhneme vinutí kontrolujeme realizovatelnost resp. Stejná energie, jaká vloží kapacity hradla výkonového tranzistoru jeho sepnutí (nabití) hem procesu nabíjení zma teplo na rezistoru innost nabíjení kondenzátoru rezistor zdroje konstantního nap je v 50%). (7. Totéž platí pro vybíjecí proces. Pro vyšší spínací frekvence nebo vyšší kapacity hradla buzeného tranzistoru ležitá minimalizace rozptylu transformátorku. Z hlediska návrhu budicích obvod užite domit, ztrátový výkon rezistoru RG je zcela nezávislý velikosti RG.7) Návrh impulsního transformátorku: 1) Zvolíme vhodné feritové jádro impulsního transformátorku.7) zjistíme pot ebný závit abychom nep ekro ili tuto ztrátu: fP sU N CC Λ = 2 max 1 (7. využití plochy okna pro vinutí. Proto zde volíme jádro toroidní.5) spo teme pot ebné minimální nap Zenerovy diody podle zamýšlené maximální ídy ídicího signálu. 3) Zvolíme ztrátový výkon Zenerov diod podle dispozic vybrané konkrétní sou ástky, obvykle 1W.10) . tím souvisí široká problematika týkající chování silového obvodu Tyto souvislosti eší podrobn výkonová elektronika. Zvolíme jistou rezervu, ovšem nevolíme nap íliš vysoké vypínání tranzistor namáhán nap tím UCC 0,6V). ípad pot eby výpo opakujeme menším tším jádrem Rezistor RG: Velikost odporu ovliv uje rychlost spínání vypínání výkonového tranzistoru. 2) Podle (7.FEKT Vysokého ení technického Brn Λ ⋅ = ⋅ = 2 1 2 max 22 1 max 1 22 1 N sTU f L sTU LP CCCC ZD (7