Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 45 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
ídicí leny elektrických pohonech 45
-0,6V díky úbytku D4) umí tedy dokonale zav (nulová ída).
Pot ebná délka odskoku siln závisí typu (rychlosti spínání) tranzistor Nap u
vysokonap ových výkonových IGBT tranzistor asto nutné volit výkonových
.6. Toto opožd zapínacích hran spínacího signálu produkovaného ídicí
jednotce nazývá odskok (mrtvá doba, deadtime). proho ení tve, kdy zapínající tranzistor dostal povel zapnutí
p íliš brzy íchodu povelu vypnutí pro druhý tranzistor. nedostate délce trvání odskoku
hrozí havárie vlivem tzv. 5. Podp ová ochrana je
zapojena jako komparátor hysterezí (kladná tná vazba rezistor R32).
Obr.12 Sdružení analogového výstupu regulátoru logickými výstupy nadprouodvé
ochrany podp ové ochrany
5.
V nadproudové ochran použit funkci komparátoru oby ejný opera zesilova
s dvoj inným koncovým stup em, proto nezbytná dioda D6.9 Realizace odskok (deadtime)
P ídavém zapínání vypínání horního dolního tranzistoru tve nap ovým
meziobvodem nutné vždy opozdit povel pro zapínání tranzistoru povelem pro vypínání
tranzistoru druhého. Prvky D7, R21, R22 tvo í
RCD len popsaný kap. 5.
Také podp ové ochran použitve funkci komparátoru oby ejný opera zesilova
s dvoj inným koncovým stupn proto nezbytná dioda D8. Jinak se
projevoval vliv úbytku D5. Vypínající tranzistor totiž
pak ješt vykazuje dráze kolektor-emitor itou nenulovou vodivost již asn )
zapínáme tranzistor druhý následkem zkratu nap ového meziobvodu
