Cílem tohoto učebního textu je seznámení čtenářů znalých základů výkonové elektroniky a elektrických pohonů s problematikou konstrukce některých řídicích obvodů a čidel používaných v těchto oborech.
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UVEE - Pavel Vorel, Petr Procházka
Strana 45 z 101
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
5.
Pot ebná délka odskoku siln závisí typu (rychlosti spínání) tranzistor Nap u
vysokonap ových výkonových IGBT tranzistor asto nutné volit výkonových
. proho ení tve, kdy zapínající tranzistor dostal povel zapnutí
p íliš brzy íchodu povelu vypnutí pro druhý tranzistor. Toto opožd zapínacích hran spínacího signálu produkovaného ídicí
jednotce nazývá odskok (mrtvá doba, deadtime).9 Realizace odskok (deadtime)
P ídavém zapínání vypínání horního dolního tranzistoru tve nap ovým
meziobvodem nutné vždy opozdit povel pro zapínání tranzistoru povelem pro vypínání
tranzistoru druhého. Prvky D7, R21, R22 tvo í
RCD len popsaný kap. Jinak se
projevoval vliv úbytku D5.6.
Také podp ové ochran použitve funkci komparátoru oby ejný opera zesilova
s dvoj inným koncovým stupn proto nezbytná dioda D8.ídicí leny elektrických pohonech 45
-0,6V díky úbytku D4) umí tedy dokonale zav (nulová ída).
Obr.12 Sdružení analogového výstupu regulátoru logickými výstupy nadprouodvé
ochrany podp ové ochrany
5.
V nadproudové ochran použit funkci komparátoru oby ejný opera zesilova
s dvoj inným koncovým stup em, proto nezbytná dioda D6. nedostate délce trvání odskoku
hrozí havárie vlivem tzv. Vypínající tranzistor totiž
pak ješt vykazuje dráze kolektor-emitor itou nenulovou vodivost již asn )
zapínáme tranzistor druhý následkem zkratu nap ového meziobvodu. 5. Podp ová ochrana je
zapojena jako komparátor hysterezí (kladná tná vazba rezistor R32)
