|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této práce bylo navrhnout a vytvořit regulátor otáček pro jednosměrné řízení bezkomutátorových střídavých motorů (BLDC) používaných v leteckém modelářství. Celé zapojení je ovládáno mikroprocesorem Atmel AVR. Jako pohonná jednotka promotor je použita akumulátorová sada typu Li–pol. Regulátor je vybaven obvodem BEC pro napájení přijímače a umožňuje monitorování odebíraného proudu a napětí na pohonném akumulátoru. Změřená data je možné uploadovat do PC, kde je možné jepomocí programu Regulátor PC zobrazit v grafické podobě.
6. Některé významné parametry tohoto obvodu jsou následující
[15]:
• napájecí napětí VCC V
• doba sepnutí typ.
IR2302 vysokonapěťový, velmi rychlý půl můstkový budič výkonových
tranzistorů MOSFET kanálem typu Jeho vstupy jsou kompatibilní standardními
CMOS TTL logikou.6: Vybrané parametry tranzistoru IRLR8256PBF [14]
Symbol Parametr Min Typ Max Jednotka
VDS Napětí D-S V
RDS(on)
Odpor sepnutém stavu (při
VGS 10V)
4.
Po dosazení vztahu (2. 2.
Z velkého množství výkonových tranzistorů byl nakonec vybrán typ
IRLR8256PBF firmy International Rectifier, jenž vyniká právě velmi nízkým
odporem RDS(on) sepnutém stavu. 2.13) pro proud Imax typickou hodnotou RDS(on) tab. Tuto funkci zastává právě tento
obvod pomocí externě připojené diody kondenzátoru.7 m
ID
Maximální proud (při VGS =
10V, 25°C)
81 A
Pouzdro: DPAK
2. 2.7. Jako vhodný budič byl vybrán obvod IR2302 firmy International
Rectifier. 750ns
• doba zpoždění vypnutí budiče toff typ. 2.
.2 Půl můstkový budič IR2302
Jednotlivé tranzistory zapojení obr.33
rozměry váhou.12 jsou spínány svými budiči, které zajišťují
dostatečné zesílení přicházejících signálů starají správné spínání horních dolních
tranzistorů.6
dostáváme pro velikost výkonu ztrácející tranzistoru:
WP 95,015102,4 23
max =⋅⋅= −
Tab. Případný chladič tyto parametry nemalým způsobem navyšoval.2 5. Jako vhodná dioda byla
vybrána součástka nesoucí označení ES07B. 50ns
• doba zpoždění sepnutí budiče ton typ. 200ns
Aby bylo možné sepnout horní tranzistory můstku, které nejsou připojeny na
pevný potenciál, nutné vytvořit dostatečný offset. Jeho vybrané parametry jsou shrnuty tab. 130ns
• doba rozepnutí typ
