Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
3. Tvar pole nezmění, je-li vodič tvořen pouze
Obr. 4.
Úhel svíraný normálou styčné ploše místě průsečíku čáry rozhraním pro
středí větší permitivitou větší platí
tg (4-48)
Vektor intenzity elektrického pole zmenšuje při přechodu prostředí větší permitivitou e
svoji absolutní hodnotu tak, tečná složka nemění normálová složka zmenší
(obr. Dutý vodič
v elektrostatickém poli
obalovým pláštěm vnitřek prázdná dutina.
Eti E{2 Eni Enz (4-49)
83
. Pokud není uvnitř této dutiny nabité těleso,
je její vnitřní povrch bez náboje. Elektrická vodivost vodiče elektrickém
poli praktických případech ustálených stavech neovlivňuje tvar elektrostatického pole.2.
Podrobnější vysvětlení řadou příkladů uvedeno [20].).4.4.
b) Dielektrikum elektrostatickém poli
Vliv dielektrika (látka zanedbatelnou elektrickou vodivostí) elektrostatické pole
je charakterizován její poměrnou permitivitou (odst. 25).
Vnitřek vodiče ekvipotendální prostor. homogenním izotropním
prostředí kvalitativní elektrostatický obraz pole vlivem dielektrika nezmění, kvantita
tivním vyjádření nutné respektovat velikost permitivity rozhraní dvou prostředí
s různou permitivitou dochází lomu čar intenzity elektrického pole elektrické indukce. 24. MATERIÁLY ELEKTROSTATICKÉM POLI
a) Vodivé teleso elektrostatickém poli
V kovovém vodiči umístěném elektrostatickém poli nastane posun nábojů, které
ovlivní vnější pole tak, povrch vodiče tvoří ekvipotendální plochu.1. Vnitřek přitom stíněn proti elektrickému poli toto
uspořádání nazýváme Faradayova klec (obr. Přebytečné elektrony
nebo kladně nabité atomy jsou přitom rozmístěny pouze tenké vrstvě povrchu vodiče. 24)
