Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
Zapnutí napětím vzrůstá-li napětí mezi anodou katodou, dochází důsledku lavi
nového narůstání činitelů náboje'ke'zvětšení emitorových proudů tím činitelů Při určité
velikosti napětí pak dojde zapnutí,'jelikož (ai 0. zapnutí dojde tehdy, když (ai a2) —►1. strukturou prochází nepatrný proud obvod, němž tato
součástka zapojena tudíž vypnut. Potom oci 0C2 1
E1
C1
01
B1
Q i
fa
C2
E2
K
a) b)
Obr.-ÍE2
I a
Dosadíme-li rovnice (6-12) rovnice (6-9) (6-11) dostáváme
l m
jelikož
kde
1 2)
/cBO 7cii01 /cB02
(6-11)
(6-12)
(6-13)
(6-14)
Vztah (6-13) fenomenologicky popisuje chování čtyřvrstvé struktury. této struktury
je mnohem širší oblast báze (NI P2) každý proudový zesilovací činitel 1x2 bude tedy
menší, než proudový zesilovací činitel normálního tranzistoru (viz 6-4). Tento mechanismus zapnutí nejčastěji
používá triodových tyristorů.
Zapnutí proudem řídicí elektrody předpokládáme-li, vývodem řídicí elektrody G
přivádíme oblasti proud, jenž propustným proudem přechodu J3, potom platí
le <*2(/g /cbo2 (6-15)
a tedy
I ;
2 o
(6-16)
1 (<*1 <x2)
Z této rovnice vyplývá, potřebné zvětšení zesilovacíchčinitelů dosáhne proudem
řídicí elektrody Iq, pokud dosáhne určité velikosti. Tohoto mechanismu zapnutí se
využívá diodových tyristorů.
213
. Tranzistorové náhradní schéma čtyřvrstvé struktury tyristoru:
a) čtyřvrstvá struktura, dvoutranzistorová analogie
a tedy proud cbo3 tzn. 111. Potom ze
vztahu (6-13) vyplývá, -*• bude tudíž omezen pouze odporem obvodu, němž je
součástka zapojena. Dále budeme stručně charakterizovat pět případů, kdy zapnutí čtyř
vrstvé struktury dojde.2) —*■1
