Příručka silnoproudé elektrotechniky

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Josef Heřman

Strana 213 z 993

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Tohoto mechanismu zapnutí se využívá diodových tyristorů.2) —*■1. 213 . Potom oci 0C2 1 E1 C1 01 B1 Q i fa C2 E2 K a) b) Obr. Zapnutí proudem řídicí elektrody předpokládáme-li, vývodem řídicí elektrody G přivádíme oblasti proud, jenž propustným proudem přechodu J3, potom platí le <*2(/g /cbo2 (6-15) a tedy I ; 2 o (6-16) 1 (<*1 <x2) Z této rovnice vyplývá, potřebné zvětšení zesilovacíchčinitelů dosáhne proudem řídicí elektrody Iq, pokud dosáhne určité velikosti. Tento mechanismus zapnutí nejčastěji používá triodových tyristorů.-ÍE2 I a Dosadíme-li rovnice (6-12) rovnice (6-9) (6-11) dostáváme l m jelikož kde 1 2) /cBO 7cii01 /cB02 (6-11) (6-12) (6-13) (6-14) Vztah (6-13) fenomenologicky popisuje chování čtyřvrstvé struktury. strukturou prochází nepatrný proud obvod, němž tato součástka zapojena tudíž vypnut. zapnutí dojde tehdy, když (ai a2) —►1. Zapnutí napětím vzrůstá-li napětí mezi anodou katodou, dochází důsledku lavi­ nového narůstání činitelů náboje'ke'zvětšení emitorových proudů tím činitelů Při určité velikosti napětí pak dojde zapnutí,'jelikož (ai 0. 111. Tranzistorové náhradní schéma čtyřvrstvé struktury tyristoru: a) čtyřvrstvá struktura, dvoutranzistorová analogie a tedy proud cbo3 tzn. Dále budeme stručně charakterizovat pět případů, kdy zapnutí čtyř­ vrstvé struktury dojde. této struktury je mnohem širší oblast báze (NI P2) každý proudový zesilovací činitel 1x2 bude tedy menší, než proudový zesilovací činitel normálního tranzistoru (viz 6-4). Potom ze vztahu (6-13) vyplývá, -*• bude tudíž omezen pouze odporem obvodu, němž je součástka zapojena