Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
zapnutí dojde tehdy, když (ai a2) —►1.
Zapnutí napětím vzrůstá-li napětí mezi anodou katodou, dochází důsledku lavi
nového narůstání činitelů náboje'ke'zvětšení emitorových proudů tím činitelů Při určité
velikosti napětí pak dojde zapnutí,'jelikož (ai 0. Tranzistorové náhradní schéma čtyřvrstvé struktury tyristoru:
a) čtyřvrstvá struktura, dvoutranzistorová analogie
a tedy proud cbo3 tzn.2) —*■1. Dále budeme stručně charakterizovat pět případů, kdy zapnutí čtyř
vrstvé struktury dojde. Tohoto mechanismu zapnutí se
využívá diodových tyristorů. Potom oci 0C2 1
E1
C1
01
B1
Q i
fa
C2
E2
K
a) b)
Obr.
Zapnutí proudem řídicí elektrody předpokládáme-li, vývodem řídicí elektrody G
přivádíme oblasti proud, jenž propustným proudem přechodu J3, potom platí
le <*2(/g /cbo2 (6-15)
a tedy
I ;
2 o
(6-16)
1 (<*1 <x2)
Z této rovnice vyplývá, potřebné zvětšení zesilovacíchčinitelů dosáhne proudem
řídicí elektrody Iq, pokud dosáhne určité velikosti. strukturou prochází nepatrný proud obvod, němž tato
součástka zapojena tudíž vypnut.-ÍE2
I a
Dosadíme-li rovnice (6-12) rovnice (6-9) (6-11) dostáváme
l m
jelikož
kde
1 2)
/cBO 7cii01 /cB02
(6-11)
(6-12)
(6-13)
(6-14)
Vztah (6-13) fenomenologicky popisuje chování čtyřvrstvé struktury.
213
. Tento mechanismus zapnutí nejčastěji
používá triodových tyristorů. Potom ze
vztahu (6-13) vyplývá, -*• bude tudíž omezen pouze odporem obvodu, němž je
součástka zapojena. 111. této struktury
je mnohem širší oblast báze (NI P2) každý proudový zesilovací činitel 1x2 bude tedy
menší, než proudový zesilovací činitel normálního tranzistoru (viz 6-4)
