Kniha podává zhuštěnou formou celou látku silnoproudé elektrotechniky, a to jak z hlediska vysvětlení principů funkce a vlastností silnoproudých strojů, přístrojů a zařízení, tak i z hlediska jejich provozu, výpočtu a návrhu. V knize jsou probrána nejen zařízení klasická, ale i výhledově perspektivní, např. výkonová elektronika, supravodiče, jaderné elektrárny apod.Kniha je určena nejširšímu okruhu inženýrů a techniků, zajímajících se o obor silnoproudé elektrotechniky nebo pracujících v tomto oboru.
dvoutranzistorové analogie.samostatné obdélníkové impulsy platí
p Pmax
M ^
kde
1 řp/Tiwc
1 e—Íp/Crthjc
kde Tthjc tepelná časová konstanta přechod pouzdro tranzistoru.
S přihlédnutím vztahu (6-4) pak platí
lei oci/ei -řcBoi (6-9)
/c2 a2ÍE2 /cB02 (6-10)
212
. TYRISTOR
Tyristor současné době nejdůležitější nejvíce používaná polovodičová součástka
v oblasti silnoproudé elektrotechniky. 111). 110. Čtyřvrstvá struk
tura nahrazena dvěma tranzistory P1-N1-P2 N1-P2-N2 společným kolektorovým
přechodem (obr. Závislost činitele pro impulsový provoz tranzistoru
(6-7)
(6-8)
výkon při libovolných provozních podmínkách. Vytvá
říme však výkonovou rezervu, jejíž velikost zřejmá obvykle uvažovaných hodnot
Pmax dov (0,8 0,9) Pmax
6. 110.
Činitel <5lze též určit grafu obr. celé skupiny tranzistorů daného technologic
kého typu zavádíme pojem maximální dovolený ztrátový výkon max dov, což dovolený
"^thjc
Obr. Pokud není tento výkon překročen, pracuje
libovolný tranzistor daného typu konkrétních podmínkách stabilně spolehlivě. Maximální ztrátový výkon fyzikální parametr,
udávající možnosti konkrétního tranzistoru.2.
Funkci principiálně objasníme pomocí tzv. typickým představitelem čtyřvrstvé struktury.3
