Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 28 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
a) Nakreslete charakteristiku f(U 1,2 mA) při nor­ mální teplotě při zvýšené teplotě 0,09 °C_1).5) dána teplotní závislost hustoty menšinových nosičů náboje, vychází P To) ) Dosadíme-li (6. Pro zbytkový proud platí T PA(60 —25)°C „0,09.6), dostaneme hledanou závislost /.35 i 0|60°C e ■^o|60“C 230 JJ. c) Uveďte, jakých podmínek můžeme vypočítat posun charakte­ ristiky propustném stavu podle vztahu A |/D=konst So) (7.10) a úpravě I o\t Io\T0 MT~ To) (6-11) ÚLOHA Teplotní závislost parametrů diody propustném stavu Je dána dioda přechodem teoretickou charakteristikou podle (1. Řešení a) obr. c) Protože rovnicí (6.1) Uveďte číselné hodnoty teplotního průniku pro křemík germanium.Při 300 při rozdílu energetických hladin 1,1 pro křemík FF=0,72eV pro germanium dostaneme teplotní součinitel při normální teplotě 1 0,09 °C_1 pro germanium, 1 0,14°C_1 pro křemík.Ir (6. znázorněn průběh charakteristiky diody při normální a při zvýšené teplotě (čárkovaně).9) (6.A . b) Vypočítejte posun charakteristiky propustném stavu při kon­ stantním proudu mA.1) a zbytkovým proudem |iA při normální teplotě °C