Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 29 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
4) Dosadíme-li dané hodnoty (JD ;70|So |iA, popř. 18. UT1 mV), dostaneme UD0 120 mV Um 230 49mV Posun charakteristiky dán rozdílem obou napětí AU, C/D0 mV 31 . b) Abychom dostali napětí závislosti proudu ID, řešíme (1.2) kde UT1 zvýšené teplotní napětí dané vztahem k T UT (7. 0|Sl 230 pA a UT0 mV, popř.150 200 — U0[m\l] Obr.3) a 1,38 10^23 Boltzmannova konstanta. Charakteristika diody při °C Pro charakteristiku při zvýšené teplotě platí = (7.1) pro UD UD [/r (7