Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 27 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

zmenšuje tomto případě hustota děr materiálu vodivostí na n (6.2) pro teplotní závislost hustoty nosičů náboje vlastního polovodiče tak, aby platila pro malé změny teploty okolí normální teploty (T0 300 T0). 29 .2) psát tvaru 21 21 nf nzti —"i |r0 / AW(T-Tn-AT\ Á ----- e~H(ro+Ar>ro) (6.7) Při vztah zjednoduší ni2|T nl2|roem<T- r°) (6. Zde zaniká hustota menšinových nosičů náboje oblasti tím i podle (6. ÚLOHA Teplotní závislost zbytkového proudu diody a) Zjednodušte vztah (6.5) Obdobný vztah platí pro hustotu elektronů materiálu vodivostí P. Rovněž příměsových polovodičů dána teplotní závislost hustoty nosičů náboje hustotou nosičů náboje vlastního polovodiče. Odvoďte výraz pro teplotní závislost zbytkového proudu diody 0.8) kde výraz exponentu /kTq označujeme jako teplotní součinitel X. b) Vypočítejte číselnou hodnotu teplotního součinitele /kTq pro germanium křemík. Řešení a) uvedených podmínek můžeme (6.5) teplotně závislá hustota nosičů náboje vlastního polovodiče ni. c) praxi diody část vlastního polovodiče většinou podstatně více dotována než zbytek, takže při malé šířce báze platí pro zbytkový proud diody / (6-6) w kde difůzní konstanta oblasti P, pn hustota děr oblasti N

---

---