Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 27 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

29 .5) teplotně závislá hustota nosičů náboje vlastního polovodiče ni. ÚLOHA Teplotní závislost zbytkového proudu diody a) Zjednodušte vztah (6.2) pro teplotní závislost hustoty nosičů náboje vlastního polovodiče tak, aby platila pro malé změny teploty okolí normální teploty (T0 300 T0).2) psát tvaru 21 21 nf nzti —"i |r0 / AW(T-Tn-AT\ Á ----- e~H(ro+Ar>ro) (6. Rovněž příměsových polovodičů dána teplotní závislost hustoty nosičů náboje hustotou nosičů náboje vlastního polovodiče.8) kde výraz exponentu /kTq označujeme jako teplotní součinitel X.7) Při vztah zjednoduší ni2|T nl2|roem<T- r°) (6.zmenšuje tomto případě hustota děr materiálu vodivostí na n (6. b) Vypočítejte číselnou hodnotu teplotního součinitele /kTq pro germanium křemík. c) praxi diody část vlastního polovodiče většinou podstatně více dotována než zbytek, takže při malé šířce báze platí pro zbytkový proud diody / (6-6) w kde difůzní konstanta oblasti P, pn hustota děr oblasti N. Řešení a) uvedených podmínek můžeme (6. Zde zaniká hustota menšinových nosičů náboje oblasti tím i podle (6.5) Obdobný vztah platí pro hustotu elektronů materiálu vodivostí P. Odvoďte výraz pro teplotní závislost zbytkového proudu diody 0

---

---