Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 27 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Řešení a) uvedených podmínek můžeme (6.7) Při vztah zjednoduší ni2|T nl2|roem<T- r°) (6. Odvoďte výraz pro teplotní závislost zbytkového proudu diody 0. b) Vypočítejte číselnou hodnotu teplotního součinitele /kTq pro germanium křemík. 29 . ÚLOHA Teplotní závislost zbytkového proudu diody a) Zjednodušte vztah (6.8) kde výraz exponentu /kTq označujeme jako teplotní součinitel X.5) teplotně závislá hustota nosičů náboje vlastního polovodiče ni. Zde zaniká hustota menšinových nosičů náboje oblasti tím i podle (6.2) pro teplotní závislost hustoty nosičů náboje vlastního polovodiče tak, aby platila pro malé změny teploty okolí normální teploty (T0 300 T0).2) psát tvaru 21 21 nf nzti —"i |r0 / AW(T-Tn-AT\ Á ----- e~H(ro+Ar>ro) (6.5) Obdobný vztah platí pro hustotu elektronů materiálu vodivostí P. Rovněž příměsových polovodičů dána teplotní závislost hustoty nosičů náboje hustotou nosičů náboje vlastního polovodiče.zmenšuje tomto případě hustota děr materiálu vodivostí na n (6. c) praxi diody část vlastního polovodiče většinou podstatně více dotována než zbytek, takže při malé šířce báze platí pro zbytkový proud diody / (6-6) w kde difůzní konstanta oblasti P, pn hustota děr oblasti N

---

---