Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
porucha, tj. Druhá mocnina této hustoty je
rovna součinu koncentrace elektronů děr p
kde AlTje rozdíl energetických hladin mezi valenčním vodivostním
pásem (šířka zakázaného pásu)
k Boltzmannova konstanta,
T teplota kelvinech, 300 K
Ve vlastním polovodiči dána vodivost jen vznikem páru elektron —díra,
kdežto příměsovém polovodiči dosáhne určitého typu vodivosti
dotováním donorů (pětimocné atomy) nebo akceptorů (trojmocné atomy)
do vlastního polovodiče.
Počet párů elektron —díra vzniklých jednotkovém prostoru nazývá
hustota nosičů náboje polovodiči n{.1)
Teplotní závislost hustoty nosičů náboje dána vztahem
(6.
Místa poruchy jsou při normální teplotě téměř úplně ionizována, takže
hustota elektronů nebo děr polovodiči přibližně rovna hustotě
donorů akceptorů. Přitom zůstane valenčním
pásu prázdné místo, které představuje kladný náboj mřížce.
Tyto díry jsou rovněž pohyblivé, neboť mohou měnit své místo postupnou
výměnou elektronů mezi atomy krystalové mřížky. Tím vzniká tzv.3)
kde hustota donorů. Pro materiál vodivostí platí
nf (6.zvyšující teplotou vzrůstá pravděpodobnost, valenční elektrony
získají tak velkou energii, překonají energetickou bariéru zakázaného
pásu dostanou vodivostního pásu. vodivostního pásu
se mohou některé elektroný dostat opět volné díry, tzn.2)
(6.
Podle zákona
n0Po nf(T) (6.4)
28
. Hovoříme
pak defektních elektronech neboli dírách. elektrony
a díry rekombinují. odchylka stavbě
krystalové mřížky proti ideálnímu krystalu
