Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
3)
kde hustota donorů.
Podle zákona
n0Po nf(T) (6.
Počet párů elektron —díra vzniklých jednotkovém prostoru nazývá
hustota nosičů náboje polovodiči n{.zvyšující teplotou vzrůstá pravděpodobnost, valenční elektrony
získají tak velkou energii, překonají energetickou bariéru zakázaného
pásu dostanou vodivostního pásu.4)
28
. Pro materiál vodivostí platí
nf (6.2)
(6. elektrony
a díry rekombinují. Přitom zůstane valenčním
pásu prázdné místo, které představuje kladný náboj mřížce. porucha, tj. Tím vzniká tzv. Druhá mocnina této hustoty je
rovna součinu koncentrace elektronů děr p
kde AlTje rozdíl energetických hladin mezi valenčním vodivostním
pásem (šířka zakázaného pásu)
k Boltzmannova konstanta,
T teplota kelvinech, 300 K
Ve vlastním polovodiči dána vodivost jen vznikem páru elektron —díra,
kdežto příměsovém polovodiči dosáhne určitého typu vodivosti
dotováním donorů (pětimocné atomy) nebo akceptorů (trojmocné atomy)
do vlastního polovodiče. vodivostního pásu
se mohou některé elektroný dostat opět volné díry, tzn.
Místa poruchy jsou při normální teplotě téměř úplně ionizována, takže
hustota elektronů nebo děr polovodiči přibližně rovna hustotě
donorů akceptorů. Hovoříme
pak defektních elektronech neboli dírách. odchylka stavbě
krystalové mřížky proti ideálnímu krystalu.
Tyto díry jsou rovněž pohyblivé, neboť mohou měnit své místo postupnou
výměnou elektronů mezi atomy krystalové mřížky.1)
Teplotní závislost hustoty nosičů náboje dána vztahem
(6
