Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 26 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
2) (6. porucha, tj. Podle zákona n0Po nf(T) (6.zvyšující teplotou vzrůstá pravděpodobnost, valenční elektrony získají tak velkou energii, překonají energetickou bariéru zakázaného pásu dostanou vodivostního pásu. Tím vzniká tzv. Pro materiál vodivostí platí nf (6. elektrony a díry rekombinují. Přitom zůstane valenčním pásu prázdné místo, které představuje kladný náboj mřížce. Místa poruchy jsou při normální teplotě téměř úplně ionizována, takže hustota elektronů nebo děr polovodiči přibližně rovna hustotě donorů akceptorů.3) kde hustota donorů. Hovoříme pak defektních elektronech neboli dírách. Tyto díry jsou rovněž pohyblivé, neboť mohou měnit své místo postupnou výměnou elektronů mezi atomy krystalové mřížky.1) Teplotní závislost hustoty nosičů náboje dána vztahem (6. Druhá mocnina této hustoty je rovna součinu koncentrace elektronů děr p kde AlTje rozdíl energetických hladin mezi valenčním vodivostním pásem (šířka zakázaného pásu) k Boltzmannova konstanta, T teplota kelvinech, 300 K Ve vlastním polovodiči dána vodivost jen vznikem páru elektron —díra, kdežto příměsovém polovodiči dosáhne určitého typu vodivosti dotováním donorů (pětimocné atomy) nebo akceptorů (trojmocné atomy) do vlastního polovodiče. vodivostního pásu se mohou některé elektroný dostat opět volné díry, tzn. odchylka stavbě krystalové mřížky proti ideálnímu krystalu. Počet párů elektron —díra vzniklých jednotkovém prostoru nazývá hustota nosičů náboje polovodiči n{.4) 28