Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV. 17.3. Hodnoty jsou sestaveny
do tab. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás).
Oba energetické pásy, tj. ti
Polovodičové materiály, jako např. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .Pro difúzní napětí platí
Ud (5.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu. 1.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1.
27
.4)
íl:
kde při normální teplotě.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí.
Závislost f(U znázorněna obr
