Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost. Hodnoty jsou sestaveny
do tab. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí. 1.
27
.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1. 17.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás).4)
íl:
kde při normální teplotě.
Závislost f(U znázorněna obr. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.3.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV.Pro difúzní napětí platí
Ud (5.
Oba energetické pásy, tj.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K . ti
Polovodičové materiály, jako např
