Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce.
Oba energetické pásy, tj. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás).10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1.Pro difúzní napětí platí
Ud (5. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV.3. Hodnoty jsou sestaveny
do tab. ti
Polovodičové materiály, jako např. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. 1.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí.4)
íl:
kde při normální teplotě. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu. 17.
Závislost f(U znázorněna obr. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost.
27
.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K
