Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Hodnoty jsou sestaveny
do tab.3.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí. 17.
Oba energetické pásy, tj.
Závislost f(U znázorněna obr.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás).Pro difúzní napětí platí
Ud (5. 1. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu. ti
Polovodičové materiály, jako např.
27
.4)
íl:
kde při normální teplotě. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV
