Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.4)
íl:
kde při normální teplotě.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K . ti
Polovodičové materiály, jako např.Pro difúzní napětí platí
Ud (5. 1.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí. Hodnoty jsou sestaveny
do tab.
27
.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5.
Závislost f(U znázorněna obr. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás).
Oba energetické pásy, tj. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost.3. 17
