Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1.Pro difúzní napětí platí
Ud (5. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.4)
íl:
kde při normální teplotě. Hodnoty jsou sestaveny
do tab.
Oba energetické pásy, tj.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí.
27
. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. 17. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás). ti
Polovodičové materiály, jako např. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV.
Závislost f(U znázorněna obr. 1.3
