Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
17. Hodnoty jsou sestaveny
do tab.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost.
Oba energetické pásy, tj.3.4)
íl:
kde při normální teplotě. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce.Pro difúzní napětí platí
Ud (5.
Závislost f(U znázorněna obr.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .1) vyjadřuje závislost kapacity napětí.
27
.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce. 1. ti
Polovodičové materiály, jako např. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás)
