Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Závislost f(U znázorněna obr. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. Hodnoty jsou sestaveny
do tab. 1.
27
.
Oba energetické pásy, tj. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce.4)
íl:
kde při normální teplotě. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5. 17.Pro difúzní napětí platí
Ud (5.3. ti
Polovodičové materiály, jako např.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K . valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás)
