Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost. 1.
27
.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí.4)
íl:
kde při normální teplotě. 17.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K . velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. ti
Polovodičové materiály, jako např.
Závislost f(U znázorněna obr. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás). Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV.Pro difúzní napětí platí
Ud (5.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1.3.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5. Hodnoty jsou sestaveny
do tab.
Oba energetické pásy, tj
