Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 25 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
17. Řešení a) uvedenými hodnotami vychází K . Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce.Pro difúzní napětí platí Ud (5. Hodnoty jsou sestaveny do tab. Tento odstup mezi valenčním vodivostním pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV. ti Polovodičové materiály, jako např. velmi čistém krystalu je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční elektrony krystalové mřížce.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí. čtyřmocné germanium nebo křemík, mají při nízké teplotě velmi malou vodivost. Potenciální energie těchto valenčních elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.10“ As/V1/2 b) Vypočítané difúzní napětí Ud 700 mV Rovnice (5. Závislost f(U znázorněna obr.3. 27 . valenční pás vázaných valenčních elektronů a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou bariérou (zakázaný pás).4) íl: kde při normální teplotě. 1. T 1 Kapacita přechodu závislosti napětí UD [V] á Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO 1. Oba energetické pásy, tj