Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás).10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.
Oba energetické pásy, tj. 17.
27
. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost.Pro difúzní napětí platí
Ud (5.4)
íl:
kde při normální teplotě. Hodnoty jsou sestaveny
do tab. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV. ti
Polovodičové materiály, jako např.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .
Závislost f(U znázorněna obr.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí.3.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1. 1.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce
