Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
17.
Závislost f(U znázorněna obr.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5.
27
.3.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1. 1. Hodnoty jsou sestaveny
do tab.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost.
Oba energetické pásy, tj. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás).4)
íl:
kde při normální teplotě.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .Pro difúzní napětí platí
Ud (5. ti
Polovodičové materiály, jako např
