Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5.4)
íl:
kde při normální teplotě.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí. ti
Polovodičové materiály, jako např.Pro difúzní napětí platí
Ud (5. Hodnoty jsou sestaveny
do tab.3. 1.
27
. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu. 17. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce.
Oba energetické pásy, tj. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás). čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .
Závislost f(U znázorněna obr. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV
