Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
1. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás).
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .Pro difúzní napětí platí
Ud (5.3.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. Hodnoty jsou sestaveny
do tab. 17.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1.
27
. ti
Polovodičové materiály, jako např.4)
íl:
kde při normální teplotě.
Oba energetické pásy, tj.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce.
Závislost f(U znázorněna obr
