Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Hodnoty jsou sestaveny
do tab.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV.
Závislost f(U znázorněna obr. 17.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás). Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.
27
.4)
íl:
kde při normální teplotě.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce.Pro difúzní napětí platí
Ud (5.3.
Oba energetické pásy, tj. ti
Polovodičové materiály, jako např.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost. 1
