Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Závislost f(U znázorněna obr.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí. 1.
Oba energetické pásy, tj.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K . Hodnoty jsou sestaveny
do tab. ti
Polovodičové materiály, jako např. 17.
27
.3.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás).4)
íl:
kde při normální teplotě.Pro difúzní napětí platí
Ud (5. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV
