Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás). 1. ti
Polovodičové materiály, jako např.4)
íl:
kde při normální teplotě.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .3.
Závislost f(U znázorněna obr.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1.
Oba energetické pásy, tj. Hodnoty jsou sestaveny
do tab. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. 17. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce.Pro difúzní napětí platí
Ud (5. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost.
27
