Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
17. Potenciální energie těchto valenčních
elektronů poněkud rozdílná vlivem velkého počtu atomů tvořících
krystalovou mřížku, takže jinak spojité energetické hladiny rozštěpí
a vzhledem jejich počtu rovnoměrně rozdělí energetickém pásu.
Totéž platí pro volné elektrony mezi dvěma atomy krystalové mřížce.
T 1
Kapacita přechodu závislosti napětí UD
[V] á
Cj [pF] 3,5 4,9 6,7 9,8 OO
1. Hodnoty jsou sestaveny
do tab.1) vyjadřuje závislost kapacity napětí.
Řešení
a) uvedenými hodnotami vychází
K .3.
27
.10“ As/V1/2
b) Vypočítané difúzní napětí
Ud 700 mV
Rovnice (5.4)
íl:
kde při normální teplotě. ti
Polovodičové materiály, jako např.Pro difúzní napětí platí
Ud (5. velmi čistém krystalu
je jen málo volných elektronů, protože všechny jsou vázány jako valenční
elektrony krystalové mřížce. 1. valenční pás vázaných valenčních elektronů
a vodivostní pás volných elektronů, jsou navzájem odděleny energetickou
bariérou (zakázaný pás).
Oba energetické pásy, tj.
Závislost f(U znázorněna obr. čtyřmocné germanium nebo křemík,
mají při nízké teplotě velmi malou vodivost. Tento odstup mezi valenčním vodivostním
pásem germania 0,72 křemíku 1,1 eV
