Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 22 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
) Difúzní vodivost Gd odpovídá tedy směrnici tečny teoretické charakteristice nastaveném pra­ covním bodě. ’ *?/ JUn lo-Milc) lio ) f j - / L i Jr í/g Í/q—¿/r 1 1 l ! 100 200 300 400 500 U‘o Uq —— [mV] Obr. Dostaneme C ) 24 .Sestrojte teoretický průběh charakteristiky. Náhradní zapojení lineárními prvky lze použít jen tehdy, je-li střídavý signál tak malý, charakteristika pracovním bodě blíží přímce. c) Jak můžeme určit napěťovou závislost difúzní kapacity? Ř í a) přímém směru diody uplatňuje stejnosměrný sériový odpor.1) kterou představuje dioda pracovním bodě přímém směru při malém signálu. 15. Výsledné napětí U'D představuje napětí na přechodu určuje tak teoretický průběh voltampérové charakte­ ristiky (obr. Při konstrukci vypočítá pro různé proudy napětí RSID a odečte napětí UD. 15). Konstrukce charakteristiky f(U'D) b) Difúzní vodivost reálná část komplexní admitance = )c°Ci (4. úloze popsán stav při velkém signálu. b) Vypočítejte difúzní vodivost jako funkci napětí UD