Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 22 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

úloze popsán stav při velkém signálu.Sestrojte teoretický průběh charakteristiky. Konstrukce charakteristiky f(U'D) b) Difúzní vodivost reálná část komplexní admitance = )c°Ci (4. 15). Při konstrukci vypočítá pro různé proudy napětí RSID a odečte napětí UD. c) Jak můžeme určit napěťovou závislost difúzní kapacity? Ř í a) přímém směru diody uplatňuje stejnosměrný sériový odpor. ’ *?/ JUn lo-Milc) lio ) f j - / L i Jr í/g Í/q—¿/r 1 1 l ! 100 200 300 400 500 U‘o Uq —— [mV] Obr. Dostaneme C ) 24 . Náhradní zapojení lineárními prvky lze použít jen tehdy, je-li střídavý signál tak malý, charakteristika pracovním bodě blíží přímce.1) kterou představuje dioda pracovním bodě přímém směru při malém signálu. 15. Výsledné napětí U'D představuje napětí na přechodu určuje tak teoretický průběh voltampérové charakte­ ristiky (obr.) Difúzní vodivost Gd odpovídá tedy směrnici tečny teoretické charakteristice nastaveném pra­ covním bodě. b) Vypočítejte difúzní vodivost jako funkci napětí UD

---

---