Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 22 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

) Difúzní vodivost Gd odpovídá tedy směrnici tečny teoretické charakteristice nastaveném pra­ covním bodě. 15). Výsledné napětí U'D představuje napětí na přechodu určuje tak teoretický průběh voltampérové charakte­ ristiky (obr. Konstrukce charakteristiky f(U'D) b) Difúzní vodivost reálná část komplexní admitance = )c°Ci (4. ’ *?/ JUn lo-Milc) lio ) f j - / L i Jr í/g Í/q—¿/r 1 1 l ! 100 200 300 400 500 U‘o Uq —— [mV] Obr.Sestrojte teoretický průběh charakteristiky. c) Jak můžeme určit napěťovou závislost difúzní kapacity? Ř í a) přímém směru diody uplatňuje stejnosměrný sériový odpor.1) kterou představuje dioda pracovním bodě přímém směru při malém signálu. Dostaneme C ) 24 . 15. Náhradní zapojení lineárními prvky lze použít jen tehdy, je-li střídavý signál tak malý, charakteristika pracovním bodě blíží přímce. Při konstrukci vypočítá pro různé proudy napětí RSID a odečte napětí UD. úloze popsán stav při velkém signálu. b) Vypočítejte difúzní vodivost jako funkci napětí UD

---

---