Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 21 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
14. Zde znamená: Rs sériový odpor polovodiče, Gd difúzní vodivost, Cd difúzní kapacita, Cj kapacita přechodu, Gz vodivost zpětném směru. S výjimkou odporu jsou ostatní prvky náhradního zapojení silně závislé pracovním bodu. stn sti stříd sig álu Náhradní zapojení diody přechodem při malém střídavém signálu je znázorněno obr. 13.2.1) způsobena pouze sériovým odporem (Rs Q). 14. Charakteristika germaniové diody 23 . Při kladném napětí, tedy propustném stavu diody, uplatňují jen J?s,G Při velkém záporném napětí, tedy zá­ věrném stavu, jsou zajímavé jen Gz. 6 Obr. 13. Náhradní zapojení diody pro malý signál 0 _____ I_____ L_ 200 300 400100 — U0[mV] 500 Obr.1. Odchylka této charakteristiky ideálního průběhu podle (1. ÚLOHA Náhradní zapojení diody propustném stavu při malém signálu U germaniové diody byla změřena charakteristika přímém směru; znázorněna obr