Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 21 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Při kladném napětí, tedy propustném stavu diody, uplatňují jen J?s,G Při velkém záporném napětí, tedy zá­ věrném stavu, jsou zajímavé jen Gz. 13. Charakteristika germaniové diody 23 . 14. Zde znamená: Rs sériový odpor polovodiče, Gd difúzní vodivost, Cd difúzní kapacita, Cj kapacita přechodu, Gz vodivost zpětném směru. Odchylka této charakteristiky ideálního průběhu podle (1. 6 Obr. ÚLOHA Náhradní zapojení diody propustném stavu při malém signálu U germaniové diody byla změřena charakteristika přímém směru; znázorněna obr.2.1) způsobena pouze sériovým odporem (Rs Q). stn sti stříd sig álu Náhradní zapojení diody přechodem při malém střídavém signálu je znázorněno obr. S výjimkou odporu jsou ostatní prvky náhradního zapojení silně závislé pracovním bodu. Náhradní zapojení diody pro malý signál 0 _____ I_____ L_ 200 300 400100 — U0[mV] 500 Obr. 14. 13.1