Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 21 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
S výjimkou odporu jsou ostatní prvky náhradního zapojení silně závislé pracovním bodu. Při kladném napětí, tedy propustném stavu diody, uplatňují jen J?s,G Při velkém záporném napětí, tedy zá­ věrném stavu, jsou zajímavé jen Gz.1) způsobena pouze sériovým odporem (Rs Q).1. ÚLOHA Náhradní zapojení diody propustném stavu při malém signálu U germaniové diody byla změřena charakteristika přímém směru; znázorněna obr. 14. Zde znamená: Rs sériový odpor polovodiče, Gd difúzní vodivost, Cd difúzní kapacita, Cj kapacita přechodu, Gz vodivost zpětném směru. stn sti stříd sig álu Náhradní zapojení diody přechodem při malém střídavém signálu je znázorněno obr. 14. 13. Odchylka této charakteristiky ideálního průběhu podle (1.2. 6 Obr. Náhradní zapojení diody pro malý signál 0 _____ I_____ L_ 200 300 400100 — U0[mV] 500 Obr. 13. Charakteristika germaniové diody 23