Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 23 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
pouze kapacita přechodu závěrná vodivost Gz. Difúzní vodivost jako funkce napětí c) Pro vzájemný vztah mezi difúzní vodivostí difúzní kapacitou Cd platí Cd(U’D) TdGá(U'D) (4.4) kde difúzní časová konstanta, která závisí technologických parametrech diody. 16. Pro napěťovou závislost kapacity přechodu platí pro strmý (nebo též Schottkyho) přechod C K Cj (t/d 2 (5. Pro napěťovou závislost kapacity pak platí c .-4 (4.2) znázorněna obr.5) ÚLOHA Náhradní zapojení diody závěrném stavu při malém signálu Pracuje-li dioda přechodem závěrném stavu, uplatní ná­ hradního zapojení podle obr. Není-li tato konstanta uvedena katalogu, můžeme její velikost lehko stanovit změřené vodivosti kapacity při daném napětí v přímém směru, jestliže stejnosměrný sériový odpor ještě zanedbatelný. M i * /A _JíO> / U‘o Obr.3) Závislost f{U'D) podle (4.1) 25 .Pro napětí přímém směru, při němž eUn/UT můžeme (4. Protože proud závěrném stavu malý, může úbytek napětí odporu polovodiče zanedbat.2) zjednodušit G„ U, (4. 16