Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
0V
1
0 -
llc \l
I y
Z 26
Obr.
Jelikož oba jevy působí proti sobě, není teplotní závislost parametrů
tranzistorů řízených elektrickým polem příliš velká. způsobí menší průnik oblasti prostorového
náboje kanálu, což projeví jako zmenšení závěrného napětí hradla. 106. Oba fyzikální jevy umožňují tudíž volbu
teplotně nezávislého kolektorového proudu, což sice teoreticky zajímavé,
avšak praxi volím zpravidla pracovní bod, němž kolektorový
proud záporný teplotní součinitel. Při určitém, poměrně
malém, kolektorovém proudu obě závislosti kompenzují, takže
pracovní bod určený tím proudem teplotně nezávislý.Druhý jev spočívá úbytku difúzního napětí přechodech PN
se zvyšující teplotou. Charakteristiky tranzistoru typu JFET kanálem N
121
.
Průřez vodivého kanálu zvětší tím zvětší kolektorový proud. Při tomto
proudu však strmost tranzistoru typu JFET malá, takže takový
pracovní bod praxi nevolí.
10 -
9 ___------------ ¿/W °V
8
7 ________ ____________Uat- 0,5 V
, 0
s°5 _______________u v
t ;
______________________ySE w
2 ----------------------- í/6c- 2
