Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 118 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

N orm álně pracují tranzistory typu oblasti saturace UCE UPI |. i Teplotní závislost charakteristik tranzistorů typu JFET podstatě způsobena dvěma jevy. 103. 120 . Vlivem záporného napětí hradla jsou oba přechody mezi hradlem a kanálem polovány zpětném směru, takže vstupní proud malý, čímž dosáhne velkého vstupního odporu. Charakteristiky tranzistoru typu JFET oblasti UCE UGE | zvětšuje. Proto proud s rostoucí teplotou zmenšuje.3. 10. 106 znázorněna typická síť charakteristik tranzistoru typu JFET kanálem N. Uvedená polarita napětí platí pro tranzistory kanálem tranzistorů kanálem je polarita opačná. obr. Se zvyšující teplotou zmenšuje pohyblivost nosičů náboje kanále, a tím zmenšuje vodivost podobně jako vodičích.Uiz [V] Obr

---

---