Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 118 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

Vlivem záporného napětí hradla jsou oba přechody mezi hradlem a kanálem polovány zpětném směru, takže vstupní proud malý, čímž dosáhne velkého vstupního odporu. Uvedená polarita napětí platí pro tranzistory kanálem tranzistorů kanálem je polarita opačná. 10. i Teplotní závislost charakteristik tranzistorů typu JFET podstatě způsobena dvěma jevy. Charakteristiky tranzistoru typu JFET oblasti UCE UGE | zvětšuje. Se zvyšující teplotou zmenšuje pohyblivost nosičů náboje kanále, a tím zmenšuje vodivost podobně jako vodičích. obr.3. 120 . 103.Uiz [V] Obr. N orm álně pracují tranzistory typu oblasti saturace UCE UPI |. Proto proud s rostoucí teplotou zmenšuje. 106 znázorněna typická síť charakteristik tranzistoru typu JFET kanálem N

---

---