Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 120 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
4.2) Upi Pomocí této hodnoty můžeme vyjádřit strmost při jakémkoliv ne­ nulovém napětí hradla UGE s s0( (29. Vstupní odpor můžeme určit směrnice tečny vstupní charakteristice Iq GE) příslušném pracovním bodě. Strmost při tom proudu dána vztahem 50 (29. Náhradní zapojení tranzistoru typu JFET pro malý signál 10. 106. 108, která odvozena charakteristik obr. Konečně strmost určíme převodní charakteristiky obr. při u Při nízkém itočtu můžeme kapacitu přechodů zanedbat, takže dostaneme náhradní zapojení pro malý signál podle obr. 107. 107. Jelikož přechody jsou v ochuzovacím typu činnosti polovány zpětném směru, tento odpor značně velký (viz úlohu 5). Výstupní vodivost G2k stanovíme opět směrnice tečny výstupní charakteristice příslušném pracovním bodě.Wff-a, 2K Obr. 108.3) PI . 6 ' lEj 2 t o Obr. Převodní charakteristika tranzistoru typu JFET kanálem N Při UGE UCE —Úp, prochází tranzistorem saturační proud I CES