Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
2)
Upi
Pomocí této hodnoty můžeme vyjádřit strmost při jakémkoliv ne
nulovém napětí hradla UGE
s s0( (29. 108,
která odvozena charakteristik obr. 107. Konečně strmost určíme převodní charakteristiky obr.4.Wff-a,
2K
Obr. Vstupní
odpor můžeme určit směrnice tečny vstupní charakteristice
Iq GE) příslušném pracovním bodě.3)
PI
. 108. Jelikož přechody jsou
v ochuzovacím typu činnosti polovány zpětném směru, tento
odpor značně velký (viz úlohu 5). 106.
6 '
lEj
2 t
o
Obr. 107. Převodní charakteristika
tranzistoru typu JFET kanálem N
Při UGE UCE —Úp, prochází tranzistorem saturační proud
I CES. Strmost při tom proudu dána vztahem
50 (29. Náhradní zapojení tranzistoru typu JFET pro malý signál
10. Výstupní vodivost G2k stanovíme
opět směrnice tečny výstupní charakteristice příslušném pracovním
bodě. při u
Při nízkém itočtu můžeme kapacitu přechodů zanedbat, takže
dostaneme náhradní zapojení pro malý signál podle obr
