Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
6 '
lEj
2 t
o
Obr.2)
Upi
Pomocí této hodnoty můžeme vyjádřit strmost při jakémkoliv ne
nulovém napětí hradla UGE
s s0( (29. Strmost při tom proudu dána vztahem
50 (29. 108,
která odvozena charakteristik obr. Konečně strmost určíme převodní charakteristiky obr. 106. 107. 108. Jelikož přechody jsou
v ochuzovacím typu činnosti polovány zpětném směru, tento
odpor značně velký (viz úlohu 5). Výstupní vodivost G2k stanovíme
opět směrnice tečny výstupní charakteristice příslušném pracovním
bodě.4.Wff-a,
2K
Obr. 107. Převodní charakteristika
tranzistoru typu JFET kanálem N
Při UGE UCE —Úp, prochází tranzistorem saturační proud
I CES. při u
Při nízkém itočtu můžeme kapacitu přechodů zanedbat, takže
dostaneme náhradní zapojení pro malý signál podle obr.3)
PI
. Náhradní zapojení tranzistoru typu JFET pro malý signál
10. Vstupní
odpor můžeme určit směrnice tečny vstupní charakteristice
Iq GE) příslušném pracovním bodě
