Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
U20
Obr. 100.
Jelikož však zapojen paralelně vstupnímu odporu tranzistoru
typu OSFET, měl být volen tak velký (několik megaohmů), aby se
dala využít výhoda tranzistoru typu SFET, totiž velký vstupní odpor.
Příliš velká hodnota odporu však nepřípustná, protože malý
náboj může způsobit relativně velký úbytek napětí tom odporu.Řešení
a) tranzistoru typu SFET vodivým kanálem normálním stavu
a při ochuzovacím typu činnosti polarita napětí hradla kolektoru
proti itoru vždy opačná. 100). Jelikož
u tranzistoru typu SFET proud hradla nulový, nevznikne na
odporu žádný úbytek napětí, takže pro vstupní obvod platí
UGE= eIc (28. Zapojení pro automatické
předpětí hradla
Proud vytvoří odporu úbytek napětí E1C.1)
b) apětí hradla být UGE —0,75 při (28.
117
.2)
Z toho
R U20 *Icp 1,85 kQ
^CP
Velikost odporu není pevně stanovena, protože jím neprochází proud. Tuto okolnost můžeme, podobně jako zapojení
s elektronkou, využít pro vytvoření autom atického předpětí hradla zařa
zením odporu přívodu itoru (obr.1)
dostaneme
n ^Re 150Q
M etodou smyčkových proudů vychází pro výstupní obvod
U20 2Ic UCE ReIc (28
