Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
10. tom případě klesá difúzní
napětí nad oblastm prostorového náboje. 101. Oblasti hradla jsou
mnohem více dotovány než oblast takže oblasti prostorového náboje se
vychýlí převážně oblasti Tranzistory typu JFET mají zpravidla
vodivý kanál při nulovém napětí hradla. Základní uspořádání tranzistoru typu JFET
(s kanálem normálním stavu vodivým)
Kladné napětí UGE zvětšuje vodivost kanálu (obohacovací typ činnosti),
jeho velikost však omezena velikostí diřúzního napětí Uá, protože
při napětí UGE jsou oba přechody mezi hradlem kanálem
polovány přímém směru, čímž značně zmenší odpor mezi hradlem
a emitorem tím tranzistor typu JFE ztrácí své výhody. Aby zmenšila vodivost
kanálu (ochuzovací typ činnosti), musí být oblasti prostorového náboje
ještě více vychýleny oblasti Proto jsou přechody polovány
v závěrném směru, takže napětí UGE tranzistoru typu JFE kanálem N
musí být záporné. znamená, tranzistoru typu JFET norm ální ochuzovací
typ činnosti polarita napětí ř/CE UGE vždy opačná.
K anál tvořený většinovými nosiči náboje spojuje emitor kolektorem
a prochází mezi oběma oblastmi prostorového náboje přechodů PN
mezi hradlem (oblast kanálem (oblast N).1.
C
*
h-
Obr. t
N ázorné uspořádání tranzistoru typu JFET (Junction-gate Field EfTect
Transistor) uvedeno obr. 10!.
Kol
118
. M
S (JFE )
10. Při kladném napětí UCE proud při uvedeném
směru šipek kladný, protože elektrony kanále pohybují směrem ke
kolektoru
