Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
než bipolárního tranzistoru.
116
. Zvětšením vstupního
odporu bipolárního tranzistoru zápornou zpětnou vazbou nebloko
vaném emitorovém odporu sice zlepší nepříznivý dělicí poměr vstupu,
avšak strmost zmenší stejnou měrou, takže nedosáhne většího zesílení. Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem normálním
stavu vodivým
a) avrhněte zapojení, něhož nastaví napětí hradla t/GE V
při pracovním bodu UCEP při napětí baterie
U2o (automatické mřížkové předpětí). Nastavení pracovního bodu tranzistoru typu MOSFET
s vodivým kanálem normálních podmínek
Je dána síť charakteristik tranzistoru typu SFET kanálem vo
divým normálních podmínek podle obr. Vstupní odpor sice značně velký, ale napěťové zesílení
je principu vždy menší než toho vidíme, použití tranzistorů
řízených elektrickým polem zesilovačů signálů, jejichž zdroj velký
odpor, mnohem výhodnější než použití bipolárních tranzistorů, neboť
se zde výhodou uplatní jejich extrémně velký vstupní odpor.
Rovněž použitím zapojení společným kolektorem nedá dosáhnout
lepších výsledků. 99. 99.
— ■"czW
Obr.
b) Vypočítejte velikosti odporů tom zapojení pro daný pracovní bod.
Ú LOHA 28. Vlivem velkého vstupního odporu tran
zistoru typu SFET vstupní napětí stejně velké jako napětí zdroje
naprázdno, zatímco bipolárního tranzistoru dochází vlivem nepatrného
vstupního odporu dělení napětí poměru :500
