Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Jedinou změnou to, odpadl odpor lk, protože tranzistoru
typu SFET vstupní odpor oo(Rík Rg). Jde podstatě stejné náhradní zapojení jako obr. 97.3)
A„ =
1 103 200.1) dosadíme rovnice (27.5)
A„ -
2 10-6 10~6
- 7
Z výsledků vidíme, tranzistorem typu OSFET dosáhneme
podstatně většího napěťového zesílení, přestože strmost stokrát menší
115
. Náhradní zapojení zesilovače pro střídavý signál
Pro tranzistor typu SFET platí náhradní zapojení pro malý signál
podle obr.10“ 10“ 6
= ,2
Obr.2), což vede vztahu
A„ =
R S
U C?2k Gl
Dosazením číselných hodnot dostaneme
(27.1) pro vstupní obvod vychází (27.2)
(27.2)
= ug
Napěťové zesílení pak dáno vztahem
C
A,.4)
(27. Pro výstupní obvod
platí (27.vstupním obvodě napětí určeno děličem napětí
R lk
Ul U*
Do (27. 98. —
G2k Gl
Dosazením číselných hodnot tranzistoru typu SFET vychází
2 10“ 3
(27. 103 103 . 10-
500. 98
