Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 113 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
97. 103 103 .3) A„ = 1 103 200.1) pro vstupní obvod vychází (27. Pro výstupní obvod platí (27. — G2k Gl Dosazením číselných hodnot tranzistoru typu SFET vychází 2 10“ 3 (27. 98. 98.2) (27.2), což vede vztahu A„ = R S U C?2k Gl Dosazením číselných hodnot dostaneme (27.5) A„ - 2 10-6 10~6 - 7 Z výsledků vidíme, tranzistorem typu OSFET dosáhneme podstatně většího napěťového zesílení, přestože strmost stokrát menší 115 .10“ 10“ 6 = ,2 Obr. Jedinou změnou to, odpadl odpor lk, protože tranzistoru typu SFET vstupní odpor oo(Rík Rg).4) (27. Náhradní zapojení zesilovače pro střídavý signál Pro tranzistor typu SFET platí náhradní zapojení pro malý signál podle obr.2) = ug Napěťové zesílení pak dáno vztahem C A,.1) dosadíme rovnice (27. Jde podstatě stejné náhradní zapojení jako obr. 10- 500.vstupním obvodě napětí určeno děličem napětí R lk Ul U* Do (27