Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Jedinou změnou to, odpadl odpor lk, protože tranzistoru
typu SFET vstupní odpor oo(Rík Rg).10“ 10“ 6
= ,2
Obr. 98.2)
= ug
Napěťové zesílení pak dáno vztahem
C
A,.2), což vede vztahu
A„ =
R S
U C?2k Gl
Dosazením číselných hodnot dostaneme
(27.1) dosadíme rovnice (27. Pro výstupní obvod
platí (27.3)
A„ =
1 103 200.vstupním obvodě napětí určeno děličem napětí
R lk
Ul U*
Do (27. 103 103 .5)
A„ -
2 10-6 10~6
- 7
Z výsledků vidíme, tranzistorem typu OSFET dosáhneme
podstatně většího napěťového zesílení, přestože strmost stokrát menší
115
. 97. —
G2k Gl
Dosazením číselných hodnot tranzistoru typu SFET vychází
2 10“ 3
(27. Náhradní zapojení zesilovače pro střídavý signál
Pro tranzistor typu SFET platí náhradní zapojení pro malý signál
podle obr.4)
(27. Jde podstatě stejné náhradní zapojení jako obr.1) pro vstupní obvod vychází (27.2)
(27. 10-
500. 98
