Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 113 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
vstupním obvodě napětí určeno děličem napětí R lk Ul U* Do (27. — G2k Gl Dosazením číselných hodnot tranzistoru typu SFET vychází 2 10“ 3 (27. Náhradní zapojení zesilovače pro střídavý signál Pro tranzistor typu SFET platí náhradní zapojení pro malý signál podle obr. Pro výstupní obvod platí (27.2) = ug Napěťové zesílení pak dáno vztahem C A,.5) A„ - 2 10-6 10~6 - 7 Z výsledků vidíme, tranzistorem typu OSFET dosáhneme podstatně většího napěťového zesílení, přestože strmost stokrát menší 115 . 98. Jde podstatě stejné náhradní zapojení jako obr.2) (27. 97.2), což vede vztahu A„ = R S U C?2k Gl Dosazením číselných hodnot dostaneme (27.3) A„ = 1 103 200. Jedinou změnou to, odpadl odpor lk, protože tranzistoru typu SFET vstupní odpor oo(Rík Rg).4) (27. 10- 500.1) pro vstupní obvod vychází (27.1) dosadíme rovnice (27. 103 103 .10“ 10“ 6 = ,2 Obr. 98