Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
103 103 . —
G2k Gl
Dosazením číselných hodnot tranzistoru typu SFET vychází
2 10“ 3
(27.1) pro vstupní obvod vychází (27.vstupním obvodě napětí určeno děličem napětí
R lk
Ul U*
Do (27.5)
A„ -
2 10-6 10~6
- 7
Z výsledků vidíme, tranzistorem typu OSFET dosáhneme
podstatně většího napěťového zesílení, přestože strmost stokrát menší
115
.4)
(27. 98. Náhradní zapojení zesilovače pro střídavý signál
Pro tranzistor typu SFET platí náhradní zapojení pro malý signál
podle obr. 98.
Jedinou změnou to, odpadl odpor lk, protože tranzistoru
typu SFET vstupní odpor oo(Rík Rg).10“ 10“ 6
= ,2
Obr. Pro výstupní obvod
platí (27.2)
= ug
Napěťové zesílení pak dáno vztahem
C
A,. 10-
500.2), což vede vztahu
A„ =
R S
U C?2k Gl
Dosazením číselných hodnot dostaneme
(27. Jde podstatě stejné náhradní zapojení jako obr.1) dosadíme rovnice (27. 97.2)
(27.3)
A„ =
1 103 200
