Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
—
G2k Gl
Dosazením číselných hodnot tranzistoru typu SFET vychází
2 10“ 3
(27.3)
A„ =
1 103 200. Jde podstatě stejné náhradní zapojení jako obr.1) dosadíme rovnice (27.vstupním obvodě napětí určeno děličem napětí
R lk
Ul U*
Do (27. 97. 103 103 .2)
= ug
Napěťové zesílení pak dáno vztahem
C
A,.2), což vede vztahu
A„ =
R S
U C?2k Gl
Dosazením číselných hodnot dostaneme
(27.10“ 10“ 6
= ,2
Obr.
Jedinou změnou to, odpadl odpor lk, protože tranzistoru
typu SFET vstupní odpor oo(Rík Rg). Náhradní zapojení zesilovače pro střídavý signál
Pro tranzistor typu SFET platí náhradní zapojení pro malý signál
podle obr. Pro výstupní obvod
platí (27.1) pro vstupní obvod vychází (27.4)
(27. 98.2)
(27.5)
A„ -
2 10-6 10~6
- 7
Z výsledků vidíme, tranzistorem typu OSFET dosáhneme
podstatně většího napěťového zesílení, přestože strmost stokrát menší
115
. 10-
500. 98
