Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
—
G2k Gl
Dosazením číselných hodnot tranzistoru typu SFET vychází
2 10“ 3
(27.3)
A„ =
1 103 200.1) pro vstupní obvod vychází (27.vstupním obvodě napětí určeno děličem napětí
R lk
Ul U*
Do (27.2)
= ug
Napěťové zesílení pak dáno vztahem
C
A,. 97.2), což vede vztahu
A„ =
R S
U C?2k Gl
Dosazením číselných hodnot dostaneme
(27.4)
(27.5)
A„ -
2 10-6 10~6
- 7
Z výsledků vidíme, tranzistorem typu OSFET dosáhneme
podstatně většího napěťového zesílení, přestože strmost stokrát menší
115
. 98. 103 103 . Náhradní zapojení zesilovače pro střídavý signál
Pro tranzistor typu SFET platí náhradní zapojení pro malý signál
podle obr. 98.2)
(27. Jde podstatě stejné náhradní zapojení jako obr. Pro výstupní obvod
platí (27.1) dosadíme rovnice (27. 10-
500.
Jedinou změnou to, odpadl odpor lk, protože tranzistoru
typu SFET vstupní odpor oo(Rík Rg).10“ 10“ 6
= ,2
Obr
