Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
98.5)
A„ -
2 10-6 10~6
- 7
Z výsledků vidíme, tranzistorem typu OSFET dosáhneme
podstatně většího napěťového zesílení, přestože strmost stokrát menší
115
. Náhradní zapojení zesilovače pro střídavý signál
Pro tranzistor typu SFET platí náhradní zapojení pro malý signál
podle obr.3)
A„ =
1 103 200. 103 103 .1) pro vstupní obvod vychází (27. 98. —
G2k Gl
Dosazením číselných hodnot tranzistoru typu SFET vychází
2 10“ 3
(27.2)
= ug
Napěťové zesílení pak dáno vztahem
C
A,. 10-
500.
Jedinou změnou to, odpadl odpor lk, protože tranzistoru
typu SFET vstupní odpor oo(Rík Rg).2), což vede vztahu
A„ =
R S
U C?2k Gl
Dosazením číselných hodnot dostaneme
(27.10“ 10“ 6
= ,2
Obr. 97. Jde podstatě stejné náhradní zapojení jako obr. Pro výstupní obvod
platí (27.vstupním obvodě napětí určeno děličem napětí
R lk
Ul U*
Do (27.2)
(27.4)
(27.1) dosadíme rovnice (27
