Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 113 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
97.3) A„ = 1 103 200.2) = ug Napěťové zesílení pak dáno vztahem C A,. 10- 500. Náhradní zapojení zesilovače pro střídavý signál Pro tranzistor typu SFET platí náhradní zapojení pro malý signál podle obr. Jedinou změnou to, odpadl odpor lk, protože tranzistoru typu SFET vstupní odpor oo(Rík Rg).4) (27.5) A„ - 2 10-6 10~6 - 7 Z výsledků vidíme, tranzistorem typu OSFET dosáhneme podstatně většího napěťového zesílení, přestože strmost stokrát menší 115 .1) dosadíme rovnice (27.2) (27. Pro výstupní obvod platí (27. 103 103 . 98. — G2k Gl Dosazením číselných hodnot tranzistoru typu SFET vychází 2 10“ 3 (27.10“ 10“ 6 = ,2 Obr. 98.1) pro vstupní obvod vychází (27.vstupním obvodě napětí určeno děličem napětí R lk Ul U* Do (27.2), což vede vztahu A„ = R S U C?2k Gl Dosazením číselných hodnot dostaneme (27. Jde podstatě stejné náhradní zapojení jako obr