Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 112 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

67, dostaneme náhradní zapojení pro střídavý signál podle obr. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu MOSFET Je dán zdroj střídavého napětí vnitřním odporu i?g íl Pro osazení prvního stupně několikastupňového nízkofrekvenčního ze­ silovače dispozici bipolární tranzistor, tranzistor typu OSFET. a) Vypočítejte pro oba tranzistory napěťové zesílení u2/ug. 98. Určení výstupní vodivosti G2k Ú LOHA 27.S. Řešení a) Vyjdeme-li náhradního zapojení bipolárního tranzistoru podle obr. G C U2 Obr.1) 114 . Pracovní bod obou tranzistorů UCEP ICP mA. Náhradní zapojení tranzistoru typu OSFET pro malý signál při nízkém kmitočtu E E Vstupní odpor pro střídavý signál druhého stupně tvořící zároveň zatěžo- vací odpor prvního stupně kQ.S; b) tranzistor OSFET: ->oo; 2mS; G2k jj. 97.-12 4 -*■ ^CE[V] Obr. Pro výstupní obvod platí (G2k -(- SMj (27. Param etry pro malý signál tom pracovním bodě zapojení společným emitorem jsou a) bipolární tranzistor: kQ; 200 mS; G2k jj. 96

---

---