Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 112 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!
Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
96. Pro výstupní obvod platí (G2k -(- SMj (27.1) 114 . G C U2 Obr. Řešení a) Vyjdeme-li náhradního zapojení bipolárního tranzistoru podle obr.S; b) tranzistor OSFET: ->oo; 2mS; G2k jj. Určení výstupní vodivosti G2k Ú LOHA 27. 98.-12 4 -*■ ^CE[V] Obr. Náhradní zapojení tranzistoru typu OSFET pro malý signál při nízkém kmitočtu E E Vstupní odpor pro střídavý signál druhého stupně tvořící zároveň zatěžo- vací odpor prvního stupně kQ.S. Pracovní bod obou tranzistorů UCEP ICP mA. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu MOSFET Je dán zdroj střídavého napětí vnitřním odporu i?g íl Pro osazení prvního stupně několikastupňového nízkofrekvenčního ze­ silovače dispozici bipolární tranzistor, tranzistor typu OSFET. 97. a) Vypočítejte pro oba tranzistory napěťové zesílení u2/ug. Param etry pro malý signál tom pracovním bodě zapojení společným emitorem jsou a) bipolární tranzistor: kQ; 200 mS; G2k jj. 67, dostaneme náhradní zapojení pro střídavý signál podle obr