Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Strana 112 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Více info o tomto dokumentu zde!

Jak získat tento dokument?

Poznámky redaktora

G C U2 Obr. Param etry pro malý signál tom pracovním bodě zapojení společným emitorem jsou a) bipolární tranzistor: kQ; 200 mS; G2k jj.S; b) tranzistor OSFET: ->oo; 2mS; G2k jj. Porovnání napěťového zesílení zesilovače osazeného bipolárním tranzistorem tranzistorem typu MOSFET Je dán zdroj střídavého napětí vnitřním odporu i?g íl Pro osazení prvního stupně několikastupňového nízkofrekvenčního ze­ silovače dispozici bipolární tranzistor, tranzistor typu OSFET. a) Vypočítejte pro oba tranzistory napěťové zesílení u2/ug. 67, dostaneme náhradní zapojení pro střídavý signál podle obr. 97.-12 4 -*■ ^CE[V] Obr.1) 114 .S. 98. Pro výstupní obvod platí (G2k -(- SMj (27. Pracovní bod obou tranzistorů UCEP ICP mA. Řešení a) Vyjdeme-li náhradního zapojení bipolárního tranzistoru podle obr. 96. Určení výstupní vodivosti G2k Ú LOHA 27. Náhradní zapojení tranzistoru typu OSFET pro malý signál při nízkém kmitočtu E E Vstupní odpor pro střídavý signál druhého stupně tvořící zároveň zatěžo- vací odpor prvního stupně kQ

---

---