Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
5)
(25.3. obr.2) bude
Ir (UGE [/,) UCE
U 2ce
v oblasti UCE (UGE konečně místo (25. m
t S
U tranzistoru řízeného elektrickým polem kanálem normálním
stavu nevodivým vytvoří vodivý kanál teprve kladným napětím na
hradle (obohacovací typ). Zvláštním technologickým postupem dá
107
. Tím přejde (25.1) tvaru
Ic K(Uge Ut) UCE (25.
Dále vidíme, saturované oblasti není proud konstantní, ale že
nepatrně vzrůstá.3) bude
(UGE Ut)2
(25.6)
v oblasti UCE (UGE Ut).
Místo (25.4)
v oblasti UCE (Uop U,).—
Obr. jsou uvedeny výstupní charakteristiky tran
zistoru SFET (kanál norm álním stavu nevodivý, V). Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem normálním
stavu nevodivým)
místo UGE dosadíme výraz UGE Podm ínka UGE změní
na UGE Ut. 87.
9
