Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 106 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem normálním stavu vodivým 108 . 88. Takovýto typ tranzistoru kladným napětím hradla dále otvírat (obohacovací typ činnosti) nebo záporným napětím zavírat (ochuzovací typ činnosti). znázorňuje charakteristiky tranzistoru typu SFET vodivým kanálem nor­ málních podmínek. Rovnice (25. poklesu kolektorového proudu na nulu, nazýváme závěrným napětím UPl (pinch off).-12 -16 24 ------tfcetV] Obr. chybně označeno UP).2) (25. Napětí potřebné zavření tranzistoru, tj. Charakteristiky tranzistoru typu MOSFET dosáhnout, kanál vodivý při nulovém napětí hradla. Obr. Obr.3) vyjadřující závislost kolektoro­ vého proudu napětí hradla, můžeme zde použít, nahradíme-li nich symbol UGE výrazem UCE UP1, přičemž číselná hodnota napětí UPl má záporné znaménko obr. 89