Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
2) (25. Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem normálním
stavu vodivým
108
. 88.
Obr.-12 -16 24
------tfcetV]
Obr.3) vyjadřující závislost kolektoro
vého proudu napětí hradla, můžeme zde použít, nahradíme-li nich
symbol UGE výrazem UCE UP1, přičemž číselná hodnota napětí UPl
má záporné znaménko obr. Obr. chybně označeno UP). Rovnice (25. znázorňuje
charakteristiky tranzistoru typu SFET vodivým kanálem nor
málních podmínek. Charakteristiky tranzistoru typu MOSFET
dosáhnout, kanál vodivý při nulovém napětí hradla. Takovýto typ
tranzistoru kladným napětím hradla dále otvírat (obohacovací typ
činnosti) nebo záporným napětím zavírat (ochuzovací typ činnosti).
Napětí potřebné zavření tranzistoru, tj. 89. poklesu kolektorového proudu
na nulu, nazýváme závěrným napětím UPl (pinch off)
