Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 106 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Obr.-12 -16 24 ------tfcetV] Obr. Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem normálním stavu vodivým 108 .3) vyjadřující závislost kolektoro­ vého proudu napětí hradla, můžeme zde použít, nahradíme-li nich symbol UGE výrazem UCE UP1, přičemž číselná hodnota napětí UPl má záporné znaménko obr. poklesu kolektorového proudu na nulu, nazýváme závěrným napětím UPl (pinch off). Charakteristiky tranzistoru typu MOSFET dosáhnout, kanál vodivý při nulovém napětí hradla. 88.2) (25. chybně označeno UP). Obr. Takovýto typ tranzistoru kladným napětím hradla dále otvírat (obohacovací typ činnosti) nebo záporným napětím zavírat (ochuzovací typ činnosti). Rovnice (25. Napětí potřebné zavření tranzistoru, tj. 89. znázorňuje charakteristiky tranzistoru typu SFET vodivým kanálem nor­ málních podmínek