Praktické výpočty v tranzistorové technice

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Curt Moerder, Horst Henke

Strana 105 z 183

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Místo (25. Zvláštním technologickým postupem dá 107 . m t S U tranzistoru řízeného elektrickým polem kanálem normálním stavu nevodivým vytvoří vodivý kanál teprve kladným napětím na hradle (obohacovací typ). Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem normálním stavu nevodivým) místo UGE dosadíme výraz UGE Podm ínka UGE změní na UGE Ut.— Obr. Dále vidíme, saturované oblasti není proud konstantní, ale že nepatrně vzrůstá.4) v oblasti UCE (Uop U,). jsou uvedeny výstupní charakteristiky tran­ zistoru SFET (kanál norm álním stavu nevodivý, V).5) (25. Tím přejde (25.2) bude Ir (UGE [/,) UCE U 2ce v oblasti UCE (UGE konečně místo (25.6) v oblasti UCE (UGE Ut). 9.3) bude (UGE Ut)2 (25.3. obr. 87.1) tvaru Ic K(Uge Ut) UCE (25