Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
2) bude
Ir (UGE [/,) UCE
U 2ce
v oblasti UCE (UGE konečně místo (25. m
t S
U tranzistoru řízeného elektrickým polem kanálem normálním
stavu nevodivým vytvoří vodivý kanál teprve kladným napětím na
hradle (obohacovací typ).6)
v oblasti UCE (UGE Ut).—
Obr.4)
v oblasti UCE (Uop U,).
9.1) tvaru
Ic K(Uge Ut) UCE (25.5)
(25.3) bude
(UGE Ut)2
(25. 87.
Místo (25. jsou uvedeny výstupní charakteristiky tran
zistoru SFET (kanál norm álním stavu nevodivý, V). Zvláštním technologickým postupem dá
107
.
Dále vidíme, saturované oblasti není proud konstantní, ale že
nepatrně vzrůstá.3. Tím přejde (25. Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem normálním
stavu nevodivým)
místo UGE dosadíme výraz UGE Podm ínka UGE změní
na UGE Ut. obr
