Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
9.—
Obr.4)
v oblasti UCE (Uop U,). jsou uvedeny výstupní charakteristiky tran
zistoru SFET (kanál norm álním stavu nevodivý, V). obr.
Dále vidíme, saturované oblasti není proud konstantní, ale že
nepatrně vzrůstá.6)
v oblasti UCE (UGE Ut).1) tvaru
Ic K(Uge Ut) UCE (25. 87. Tím přejde (25.3.5)
(25.2) bude
Ir (UGE [/,) UCE
U 2ce
v oblasti UCE (UGE konečně místo (25. Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem normálním
stavu nevodivým)
místo UGE dosadíme výraz UGE Podm ínka UGE změní
na UGE Ut. m
t S
U tranzistoru řízeného elektrickým polem kanálem normálním
stavu nevodivým vytvoří vodivý kanál teprve kladným napětím na
hradle (obohacovací typ).
Místo (25. Zvláštním technologickým postupem dá
107
.3) bude
(UGE Ut)2
(25
