Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
87.3) bude
(UGE Ut)2
(25.4)
v oblasti UCE (Uop U,). Tím přejde (25.—
Obr.3.1) tvaru
Ic K(Uge Ut) UCE (25. jsou uvedeny výstupní charakteristiky tran
zistoru SFET (kanál norm álním stavu nevodivý, V).2) bude
Ir (UGE [/,) UCE
U 2ce
v oblasti UCE (UGE konečně místo (25. obr.6)
v oblasti UCE (UGE Ut).
9. Charakteristiky tranzistoru typu OSFET kanálem normálním
stavu nevodivým)
místo UGE dosadíme výraz UGE Podm ínka UGE změní
na UGE Ut. Zvláštním technologickým postupem dá
107
.
Dále vidíme, saturované oblasti není proud konstantní, ale že
nepatrně vzrůstá.5)
(25. m
t S
U tranzistoru řízeného elektrickým polem kanálem normálním
stavu nevodivým vytvoří vodivý kanál teprve kladným napětím na
hradle (obohacovací typ).
Místo (25
