Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
Charakteristiky tranzistoru typu OSFET oblasti UCE GE
Zde vidíme, oblasti saturace závisí proud kvadraticky napětí
hradla, což význam pro určitá praktická použití tranzistorů řízených
elektrickým polem. znázorněn průběh charakteristik této oblasti. jednoduché
teorie vyplývá, proud této oblasti charakteristik již nezvětšuje, takže
saturační proud podle (25. Vidíme zde
kvadratickou závislost proudu napětí UCE.3) pro UCE UGEzůstává konstantní. Potřebné
prahové napětí (threshold) můžeme (25. 86.Rovnice (25.1) (25.2) platí rozsahu UCE UGE UOE Při UGE UCE
dosáhne proud saturační hodnoty
Ices (25. 87.3)
N obr. Charakte
ristiky této norm ální pracovní oblasti jsou uvedeny obr.
Dříve popsaná jednoduchá teorie vychází toho, při napětí hradla
UGE již vytvoří vodivý kanál. Při napětí UCE UGEjiž
rovnice (25.3) neplatí, protože není splněn předpoklad pro vznik vodivého
kanálu mezi emitorem kolektorem.
Uce Uge
Je-li napětí UCB větší než UGE, obrátí polarita elektrického pole ko
lektorové oblasti kanálu kanál stále více zavírá.3) vyjádřit tak, že
106
. praxi tranzistorů typu
M OSFET, nichž kanál norm álním stavu nevodivý, musí nejprve
překonat určité prahové napětí, než vznikne vodivý kanál.
Obr
