Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
znázorněn průběh charakteristik této oblasti. Charakteristiky tranzistoru typu OSFET oblasti UCE GE
Zde vidíme, oblasti saturace závisí proud kvadraticky napětí
hradla, což význam pro určitá praktická použití tranzistorů řízených
elektrickým polem.1) (25.3) vyjádřit tak, že
106
. 86.3) neplatí, protože není splněn předpoklad pro vznik vodivého
kanálu mezi emitorem kolektorem. Charakte
ristiky této norm ální pracovní oblasti jsou uvedeny obr.3)
N obr.
Uce Uge
Je-li napětí UCB větší než UGE, obrátí polarita elektrického pole ko
lektorové oblasti kanálu kanál stále více zavírá.2) platí rozsahu UCE UGE UOE Při UGE UCE
dosáhne proud saturační hodnoty
Ices (25.
Dříve popsaná jednoduchá teorie vychází toho, při napětí hradla
UGE již vytvoří vodivý kanál. praxi tranzistorů typu
M OSFET, nichž kanál norm álním stavu nevodivý, musí nejprve
překonat určité prahové napětí, než vznikne vodivý kanál. jednoduché
teorie vyplývá, proud této oblasti charakteristik již nezvětšuje, takže
saturační proud podle (25. Potřebné
prahové napětí (threshold) můžeme (25.3) pro UCE UGEzůstává konstantní. Vidíme zde
kvadratickou závislost proudu napětí UCE.Rovnice (25. Při napětí UCE UGEjiž
rovnice (25.
Obr. 87
