Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
1) vyjadřuje pro UCE UGE lineární
závislost mezi UCE při konstantním UOE. Charakteristiky
tranzistoru typu OSFET
v oblasti UCE UGE
U E
Je-li napětí mezi emitorem kolektorem UCE velmi malé proti napětí
hradla GE, můžeme předpokládat, elektrické pole bude celé délce
kanálu konstantní. Obr. rovněž vyplývá, kanál chová
jako lineární odpor mezi emitorem kolektorem, který může být nevýko-
nově řízen napětím hradla UGE. Při UCE UGE napětí hradle kolektoru stejné, takže
intenzita elektrického pole kolektorové oblasti kanálu nulová. obr. znázorňuje síť
charakteristik pro tuto oblast.1)
K onstanta dána rozměry tranzistoru, permitivitou pohyblivostí
elektronů kanále.
^ce UCE
Při napětí UCE-menším nebo stejném jako UGEjiž není elektrické pole
konstantní. Rovnice (25. Tím
vznikne kladný proud souladu směrem šipek obr. Proud hradla téměř nulový, protože izo
lační vrstva kysličníku mezi hradlem podložkou představuje odpor řádu
1014 101 Q. alé kladné napětí UCE vytvoří elektrické pole směro
vané tak, elektrony kanále pohybují směrem kolektoru.2)
105
. 85. Podle
teoretického odvození, kterého zde můžeme upustit, vychází závislost
proudu napětí UCE UGE
Ic U,G (25.Obr.
Předpokládáme-li, průběh intenzity elektrického poleje lineární, vychází
kolektorový proud
Ir K
TJ2
II CE^GE^CE (25. 84
