Kniha seznamuje stručně se základy polovodičové techniky. Obsahuje jednoduché vztahy a mnoho příkladů úplně vyřešených, čímž umožňuje čtenáři samostatný návrh základních elektronických obvodů. Kniha je určena nejširší technické veřejnosti.
2. Vzhledem souměrnému uspořádání možné
zaměnit emitor kolektorem. Základní uspořádání tranzistoru typu OSFET kanálem N
v normálním stavu nevodivým)
oblasti které tvoři emitor kolektor. Tyto
přechody jsou zapojeny proti sobě, takže při kladném záporném napětí
mezi emitorem kolektorem vždy jeden přechod polován zpětném
směru mezi emitorem kolektorem nemůže ideálním případě pro
cházet proud.
Při kladném napětí hradle vytvoří elektrické pole, které ovlivní
záporné nosiče náboje polovodiči pod izolační vrstvou kysličníku. při u
Závislost kolektorového proudu napětí hradla budeme sledovat
ve třech oblastech charakteristiky. Horní plocha izolována vrstvou
kysličníku (nebo nitridu) výjimkou míst, kde jsou pokovením oblastí N
vytvořeny emitor kolektor. kanál.kolektor)
02-,
-izolační vrstva
Obr. 84. Není-li hradle napětí, neprochází proud kanálem mezi emitorem
a kolektorem. Mezi oběma elektrodami napaří vrstvu
kysličníku další kovová vrstva, která představuje hradlo izolované polo
vodiče. Při kladném napětí mezi emitorem kolektorem UCE může
procházet' kanálem přes napařené vývody kolektorový proud Změnou
napětí hradla UGE ovlivní šířka kanálu, čímž mění vodivost, tím
i proud této možnosti řízení kolektorového proudu napětím hradla
je založena činnost tranzistoru řízeného elektrickým polem izolovaným
hradlem (MOSFET).
9.
104
. Tyto
záporné nosiče náboje vytvoří vodivé spojení mezi emitorem kolektorem,
tzv. Každá obou elektrod tvoří podložkou přechod PN
