|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.
Hranice A-H, B-C, D-E, F-G
a G-H pokládáme umělé hranice.36
Obr.1 uveden přehled okrajových podmínek pro
všechny tři závislé proměnné soustav rovnic (50) (52), kde značí normálový
vektor kolmý vn, značí rychlosti tepelné rekombinace [8]. 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET
Rovnice (50) (52) platí pouze subdoméně A-B-E-F-G-H-A, izolant
ohraničený body B-C-D-E-B, můžeme charakterizovat buď Laplaceovou rovnicí pro
elektrostatický potenciál
0)( =∇⋅∇ (54)
nebo předpokladem absence nosičů náboje
0=== Cpn (55)
Avšak použití těchto rovnic znemožňuje určení proudu procházejícího bází
a vlivu náboje izolační vrstvy oxidu. Okrajové podmínky typických rozhraní polovodičových struktur
Ohmický kontakt Schottkyho kontakt
Polovodič
- izolant
Umělé
rozhraní
Elektrický
potenciál
=
i
b
2
arcsin
n
C
h
q
kT
Ψ
=
i
b
2
arcsin
n
C
h
q
kT
Ψ 0=
∂
∂
n
Ψ
0=
∂
∂
n
Ψ
Koncentrace
elektronů
2
4
2
i
2
CnC
n
++
=
++
−−=
2
4
2
i
2
nn
CnC
nqvnJ =nJ 0=
∂
∂
n
n
Koncentrace
děr
2
4
2
i
2
CnC
p
−+
=
−+
−−=
2
4
2
i
2
pp
CnC
pqvnJ =nJ 0=
∂
∂
n
p
. Fyzické
hranice mohou být rozděleny tří kategorií
ISOp DDDD ∂∪∂∪∂=∂ (56)
kde ∂DO značí ohmický kontakt, ∂DS Schottkyho kontakt ∂DI rozhraní
s izolantem [8].
Hranice A-B, E-F, C-D B-E interpretují fyzické hranice představující tři
kontakty jedno rozhraní mezi polovodičem izolantem.
Tab.
V následující tabulce Tab. Tyto hranice sice reálné struktuře neexistují,
ale usnadňují simulaci tím, strukturu separují okolního prostředí
