|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.
Hranice A-B, E-F, C-D B-E interpretují fyzické hranice představující tři
kontakty jedno rozhraní mezi polovodičem izolantem. Tyto hranice sice reálné struktuře neexistují,
ale usnadňují simulaci tím, strukturu separují okolního prostředí. Fyzické
hranice mohou být rozděleny tří kategorií
ISOp DDDD ∂∪∂∪∂=∂ (56)
kde ∂DO značí ohmický kontakt, ∂DS Schottkyho kontakt ∂DI rozhraní
s izolantem [8].
Tab.1 uveden přehled okrajových podmínek pro
všechny tři závislé proměnné soustav rovnic (50) (52), kde značí normálový
vektor kolmý vn, značí rychlosti tepelné rekombinace [8]. Okrajové podmínky typických rozhraní polovodičových struktur
Ohmický kontakt Schottkyho kontakt
Polovodič
- izolant
Umělé
rozhraní
Elektrický
potenciál
=
i
b
2
arcsin
n
C
h
q
kT
Ψ
=
i
b
2
arcsin
n
C
h
q
kT
Ψ 0=
∂
∂
n
Ψ
0=
∂
∂
n
Ψ
Koncentrace
elektronů
2
4
2
i
2
CnC
n
++
=
++
−−=
2
4
2
i
2
nn
CnC
nqvnJ =nJ 0=
∂
∂
n
n
Koncentrace
děr
2
4
2
i
2
CnC
p
−+
=
−+
−−=
2
4
2
i
2
pp
CnC
pqvnJ =nJ 0=
∂
∂
n
p
.36
Obr. 40: geometrie planárního tranzistoru MOSFET
Rovnice (50) (52) platí pouze subdoméně A-B-E-F-G-H-A, izolant
ohraničený body B-C-D-E-B, můžeme charakterizovat buď Laplaceovou rovnicí pro
elektrostatický potenciál
0)( =∇⋅∇ (54)
nebo předpokladem absence nosičů náboje
0=== Cpn (55)
Avšak použití těchto rovnic znemožňuje určení proudu procházejícího bází
a vlivu náboje izolační vrstvy oxidu. Hranice A-H, B-C, D-E, F-G
a G-H pokládáme umělé hranice.
V následující tabulce Tab
