|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.
( 0=−−−∇⋅∇ Cpn
q
Ψ
ε
(50)
( )
t
n
RΨnnD
∂
∂
=−∇−∇⋅∇ (51)
( )
t
p
RΨppD
∂
∂
=−∇−∇⋅∇ (52)
Pro matematickou analýzu třeba znát počáteční odhad proměnných p
v doméně, které jsou tyto rovnice platné okrajové podmínky. 40).
Nechť ∂D, značí dílčí hranice domény která může být principu rozdělena
na dvě části
Ap DDD ∂∪∂=∂ (53)
kde ∂Dp značí části hranice představující skutečné fyzické hranice, jako jsou
kontakty rozhraní.
Avšak mnoha případech můžeme tuto doménu považovat dvojrozměrnou, či
dokonce jednorozměrnou, čímž analyzovaný problém zásadně zjednoduší. důležité
zmínit, vztazích proudových hustot (44) (45) byly opomenuty složky proudu
způsobené zúžením zakázaného pásma teplotním gradientem, protože jsou vlivy
těchto efektů považovány zanedbatelné. nutné však uvědomit, vztahy pro
proudy tímto mohou stát nekorektní, pokud některý zmíněných efektů zásadně
nabude významu.1 byl uveden soubor základních rovnic (41) (45).35
kde jsou doby života nosičů hodnota intrinsické koncentrace [8].
Použitím rovnice (41) substitucí rovnic proudové hustoty (44) (45) do
rovnic kontinuity (42) (43) dostáváme systém tří parciálních diferenciálních rovnic
(50) (52) proměnnými p.
. Tato ohraničená
doména obecně trojrozměrná, tak jako prakticky všechny polovodičové struktury. Celá doména zde
reprezentována mnohoúhelníkem A-B-C-D-E-F-G-H-A.3 Analýza základních rovnic okrajové podmínky
V kapitole 7. Naopak ∂DA, značí umělé rozhraní, které zavádí například za
účelem vyčlenění dílčí struktury rozměrného substrátu nebo oddělení sousedních
prvků jednom substrátu, tudíž nepředstavují fyzickou hranici.
7.
Zmíněné rozdělení hranic možné ilustrativně popsat idealizované
geometrii planárního MOS tranzistoru (Obr
