|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.
2. Příklad dotačního profilu P-N diody zobrazený Obr. [8]. Tyto mechanizmy mohou být způsobeny například:
- atomovou mřížkou materiálu
- ionizovanými nečistotami
- kolizí nosič-nosič
- neutrálními nečistotami
- intenzitou elektrického pole
Často vystačíme pouze tabulkovou hodnotou 300
pn,µ udávanou pro daný
materiál při teplotě 300 Avšak při tvorbě věrného modelu polovodičové struktury je
formulace pohyblivosti nosičů klíčová, protože podchycuje fyzikální jevy, které mají
zásadní vliv vlastnosti polovodičových prvků [8].
7.3 Generace rekombinace nosičů
V předchozích odstavcích byla zmíněna funkce která popisuje četnost
generace rekombinace elektronů děr.
Obr.34
procesu (souřadnici vrcholu „zvonu“) úměrná difuzi příměsí substrátu (šířce
„zvonu“).
Shockley Read Hall, která vyjádřena následujícím vztahem
( )inip
2
i
ppnn
nnp
RSRH
+++
−
=
ττ
, (49)
.2. 39: Dotační profil diody
7. Dominantním mechanismem funkce tzv.
Z důvodu snadnější představitelnosti tohoto jevu zavedla právě veličina
pohyblivosti, která modeluje ohledem mechanismy, které ovlivňují kolize
nosičů.2 Pohyblivost nosičů
Pohyb nosičů polovodiči narušen kolizemi krystalovou mřížkou,
příměsemi defekty, tudíž dráha pohybu nosiče mezi dvěma body není přímka
