|
Kategorie: Diplomové, bakalářské práce |
Tento dokument chci!
Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.
Potom konstanta určuje
špičkovou koncentraci příměsí (výšku „zvonu“), pozici aplikace technologického
.1 Dotační profil
Distribuce příměsí objemu polovodiče, mající následek nevlastní vodivost
typu nebo určuje geometrii funkci polovodičového prvku. Druhý člen pravé straně rovnic (44) (45)
představuje vliv difůze nosičů směru gradientu jejich koncentrace zavádí
Einsteinovy difúzní konstanty
q
kT
D (46)
q
kT
D (47)
kde Boltzmanova konstanta teplota [8]. omezíme pouze procesy iontové implantace
a difuze atomů příměsi objemu polovodičového substrátu.
7.2.33
náboje veličina, která velký vliv vlastnosti polovodičových součástek, proto
je její správná formulace velmi důležitá.2 Fyzikální parametry
Uvedené rovnice (41) (45) tvoří základní rovnice umožňující analýzu
a simulaci většiny polovodičových prvků. praxi ukázalo efektivnější aplikovat těchto
případech empirické korekce, než daný systém rovnic dále rozšiřovat.
Tak tomu případě tunelových proudů skrz velmi tenké vrstvy, které mají
významný vliv vlastnosti prvku. Výsledné profily těchto
procesů jsou nejčastěji modelovány Gaussovou funkcí
( )
( )
2
2
2c
bx
eaxG
−
−
⋅= (48)
kde představuje prostorovou souřadnici, jsou reálné konstanty je
Eulerovo číslo.
7. Gaussova funkce sudá (souměrná podle osy tvar „zvonu“,
kterému přisuzujeme charakter distribuce příměsí objemu polovodiče jako důsledek
lokálně aplikovaných uvedených technologických procesů.
Fyzikální parametry těchto rovnicích definují geometrii prvku, druh
polovodičového materiálu technologii použitou při jeho výrobě [8]. Proto naprosto
zásadní vstupní informace tudíž pochopitelné, pro přesné výsledky simulací je
zapotřebí věrné modelování používaných výrobních procesů, jako jsou iontová
implantace, difuze, tepelná oxidace, epitaxní narůstání jiné, které tuto distribuci
(dotační profil) vytvářejí. Avšak mohou nastat případy, kdy nabývají
na významu fyzikální jevy, které nejsou dostatečně těmito rovnicemi podchyceny
