Planární prenosové vedení na polovodicovém substrátu

| Kategorie: Diplomové, bakalářské práce  | Tento dokument chci!

Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejichvlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedenív programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá částpráce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrickýsubstrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabýváověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: Pavel Chára

Strana 38 z 71

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
praxi ukázalo efektivnější aplikovat těchto případech empirické korekce, než daný systém rovnic dále rozšiřovat. Gaussova funkce sudá (souměrná podle osy tvar „zvonu“, kterému přisuzujeme charakter distribuce příměsí objemu polovodiče jako důsledek lokálně aplikovaných uvedených technologických procesů. Tak tomu případě tunelových proudů skrz velmi tenké vrstvy, které mají významný vliv vlastnosti prvku.33 náboje veličina, která velký vliv vlastnosti polovodičových součástek, proto je její správná formulace velmi důležitá. Proto naprosto zásadní vstupní informace tudíž pochopitelné, pro přesné výsledky simulací je zapotřebí věrné modelování používaných výrobních procesů, jako jsou iontová implantace, difuze, tepelná oxidace, epitaxní narůstání jiné, které tuto distribuci (dotační profil) vytvářejí. Výsledné profily těchto procesů jsou nejčastěji modelovány Gaussovou funkcí ( ) ( ) 2 2 2c bx eaxG − − ⋅= (48) kde představuje prostorovou souřadnici, jsou reálné konstanty je Eulerovo číslo. Fyzikální parametry těchto rovnicích definují geometrii prvku, druh polovodičového materiálu technologii použitou při jeho výrobě [8]. Potom konstanta určuje špičkovou koncentraci příměsí (výšku „zvonu“), pozici aplikace technologického .2. 7. omezíme pouze procesy iontové implantace a difuze atomů příměsi objemu polovodičového substrátu. 7.1 Dotační profil Distribuce příměsí objemu polovodiče, mající následek nevlastní vodivost typu nebo určuje geometrii funkci polovodičového prvku. Avšak mohou nastat případy, kdy nabývají na významu fyzikální jevy, které nejsou dostatečně těmito rovnicemi podchyceny.2 Fyzikální parametry Uvedené rovnice (41) (45) tvoří základní rovnice umožňující analýzu a simulaci většiny polovodičových prvků. Druhý člen pravé straně rovnic (44) (45) představuje vliv difůze nosičů směru gradientu jejich koncentrace zavádí Einsteinovy difúzní konstanty q kT D (46) q kT D (47) kde Boltzmanova konstanta teplota [8]