Kniha obsahuje základní informace o operačních zesilovačích. Seznamuje čtenáře s vlastnostmi a s hlavními druhy operačních zesilovačů, s technikou jejich měření a zapojení ve zpětnovazebních operačních sítích i s jejich použitím ve vyhodnocovacích, měřicích a regulačních obvodech v automatizační technice. Kniha je určena širokému okruhu čtenářů se středním vzděláním, kteří se zabývají návrhem, měřením a použitím obvodů, přístrojů a zařízení s operačními zesilovači v automatizační, měřicí a výpočetní technice.
vytvoření bipolární struktury standardní difúzí se
dvojnásobnou iontovou implantací vytvoří implantovaná vrstva
kanálu hradla Pro zajištění malého zbytkového vstupního
napětí monolitických operačních zesilovačů propracována
technologie nastavení souměrnosti vstupního obvodu aktivním
vyvážením tenkovrstvých rezistorů laserovým paprskem. Polovodičová struktura IFE T
B, elektrody bipolárního tranzistoru NPN,
S, elektrody tranzistoru JFE implantovaná
vrstva kanálu implantovaná vrstva hradla N
(N+, oblasti vysokou koncentrací)
Monolitická integrovaná technologie pokrývá největší objem
výroby operačních zesilovačů uplatňuje stále větším roz
sahu.
Obr. Její hlavní předností je, dovoluje
vytvářet křemíkové destičce současně bipolárními tranzistory
i tranzistory řízené elektrickým polem (JFET, MOSFET). Atomy mají energii
až 150 kVe mohou být koncentrovány určité hloubky krysta
lu. Kombi
nace bipolárních unipolárních tranzistorů jediném čipu zá
kladní charakteristikou nové generace monolitických operačních
zesilovačů, někdy označovaných BIFET nebo BIMOS. Základní
polovodičová struktura BIFET, složená vertikálního tranzistoru
NPN unipolárního tranzistoru JFET kanálem obr.
3. Většina výrobců dodává integrované operační zesilovače
v typizovaných pouzdrech osmi vývody nebo
T 100 deseti vývody, popř. 16
[30], [58].
Iontová implantace umožňuje zvětšit proudové zesílení,
zvýšit tranzitní frekvenci bipolárních tranzistorů čipu (zvláště
laterálních tranzistorů PNP) vytvořit integrované rezistory
s větším odporem přesností.podle masek paprskem energie provádí velmi jemné dotování
jednotlivými atomy příměsových prvků. Tím lze velmi přesně dodržet požadovanou hustotu dotované
vrstvy koncentraci dotování velkou reprodukovatelnost
implantovaných vrstev. 16. 17). pouzdře DIL čtrnácti nebo
osmi vývody (obr
