Kniha obsahuje základní informace o operačních zesilovačích. Seznamuje čtenáře s vlastnostmi a s hlavními druhy operačních zesilovačů, s technikou jejich měření a zapojení ve zpětnovazebních operačních sítích i s jejich použitím ve vyhodnocovacích, měřicích a regulačních obvodech v automatizační technice. Kniha je určena širokému okruhu čtenářů se středním vzděláním, kteří se zabývají návrhem, měřením a použitím obvodů, přístrojů a zařízení s operačními zesilovači v automatizační, měřicí a výpočetní technice.
Difúzni
způsob jejich výroby vyžaduje velmi nákladnou kontrolu hloubky
a hustoty dotování. [30], [58], [59], [125]. Tyto tzv. Zpočátku používaly laterální
tranzistory PNP, které lze vyrobit současně difúzí báze tranzis
toru NPN. jednotlivých difúzních procesech
. Příkladem tohoto řešení např. Křemíková destička na
závěr výrobního procesu rozřeže vlastní zesilovací čipy, které
se vloží vhodného pouzdra. Obvodové řešení zesilovače však musí být pro monolitickou
technologii přizpůsobeno, protože křemíková destička integrova
ného obvodu lépe využita tranzistory než rezistory konden
zátory.řičí, silikonovým kaučukem apod.
Monolitická integrovaná technologie umožnila hromadnou
výrobu operačních zesilovačů. operační
zesilovač AS131 [124],
Technologie diskrétní montáže vyžaduje velký podíl ruční
práce, proto jsou diskrétní operační zesilovače drahé. tranzistory superbeta vynikají velmi
velkým činitelem zesílení /S(až 000) zaručují výborné para
metry bipolárního operačního zesilovače (např. Poměr nákladů zhotovení tranzistoru, rezistoru
a kondenzátoru monolitickou integrovanou technologií asi
1 Proto při návrhu monolitického operačního zesilo
vače raději volí zapojení větším počtem tranzistorů počet
rezistoru kondenzátom minimalizuje. První monolitické operační zesilovače
[např. Asi roce 1970 byla zvládnuta monolitická techno
logie výroby bipolárních tranzistorů tenkou bází pro vstupní
stupeň zesilovače. LM108). Navíc
jsou velké, proto používají jen pro nejnáročnější aplikace. Spočívá zhotovení všech aktiv
ních pasívních součástek pro několik set zesilovačů jediné
křemíkové destičce kombinací litografických, difúzních, napařo
vacích dalších náročných operací. jjlA709, txA741] vyráběly difúzni technologií křemíkové
destičce vhodnou kombinací bipolárních vertikálních tranzistorů
NPN několika tranzistorů PNP. Protože mají nízkou tranzitní frekvenci, byly později
nahrazeny vertikálními tranzistory PNP lepšími frekvenčními
vlastnostmi. Vytvoření integrovaného obvodu
monolitickou technologií jediné křemíkové destičce zaručuje
nejen nízké výrobní náklady malé rozměry, ale dává dobré
předpoklady pro dobrou tepelnou vazbu uvnitř obvodu (všechny
součásti mají shodný teplotní režim), pro zajištění úzkých tole
rancí polovodičových součástek pro velkou provozní spolehli
vost.
Technologie výroby monolitických operačních zesilovačů se
postupně zdokonalovala.
Kvalita monolitických operačních zesilovačů polovině
sedmdesátých let výrazně zlepšila použitím iontové implantace
pro výrobu mimořádně přesně dotovaných polovodičových
struktur. Tím vznikl kompaktní zesilo
vací modul, obvykle opatřený vývody pro přímé pájení větších
desek plošnými spoji
