Tento odpor ještě zvětší vložením izolační destičky tloušťky 0,05 mm
mezi tranzistor chladič asi 0,3 ~‘. impul
sovém provozu, zatěžován ztrátou, která přímo úměrná odevzdávané
mu výkonu nepřímo úměrná účinnosti koncového stupně. Potřebná část chladicícho profilu odřízne vyvrtají se
55
.cm Poloha úprava desky C
měď 3.1. 2. 2.1. Tepelné vodivosti materiálů chladičů faktory C
Materiál k(W ,°C . Předpokládá se, plocha chladiče
má přibližně čtvercový tvar chlazenou součástkou uprostřed. Zlepšení přechodu tepla
z tranzistoru chladiče dosáhneme potřením dosedací plochy tranzisto
ru silikonovým olejem nebo vazelínou.d s
kde Aje tepelná vodivost materiálu desky, tloušťka desky, plocha desky
a korekční faktor.torů zapojení třídě dána součinem jejich klidového proudu napě
tí.
Tepelný odpor mezi stejnou plochou tranzistoru chladiče K2bývá 0,1
až závisí jakosti styku pouzdra tranzistoru chladičem.8 vodorovná čistá 1,00
hliník 2,1 svislá čistá 0,85
mosaz 1,1 vodorovná černěná 0,50
očel 0,46 svislá černěná 0,43
Pro chladicí desky, které nepřevyšují svými rozměry plochu asi cm2,
lze pro výpočet tepelného odporu použít zjednodušeného vztahu
650 C
K -------- (°C.
Velikost tepelného odporu chladiče závisí materiálu, tvaru,
povrchové úpravě poloze. Platí přibližný vztah
3,3 650 ,
K C0’25 -----C (°C .
Tab. Žebrované profily dodávají výrobci ve
větších délkách. Kolektorový přechod tranzistorů zapojených třídě popř.cm, mm, )
Já.°C . výkonové tranzistory, se
umísťují žebrované chladiče.W cnr)
Součástky, které vyžadují větší chlazení, např. -Konkrétní hodnoty tepelných vodivostí různých
materiálů faktory udává tab
