Žebrované profily dodávají výrobci ve
větších délkách. Platí přibližný vztah
3,3 650 ,
K C0’25 -----C (°C .1.W cnr)
Součástky, které vyžadují větší chlazení, např.
Tepelný odpor mezi stejnou plochou tranzistoru chladiče K2bývá 0,1
až závisí jakosti styku pouzdra tranzistoru chladičem. Zlepšení přechodu tepla
z tranzistoru chladiče dosáhneme potřením dosedací plochy tranzisto
ru silikonovým olejem nebo vazelínou. Předpokládá se, plocha chladiče
má přibližně čtvercový tvar chlazenou součástkou uprostřed.°C .d s
kde Aje tepelná vodivost materiálu desky, tloušťka desky, plocha desky
a korekční faktor.
Tento odpor ještě zvětší vložením izolační destičky tloušťky 0,05 mm
mezi tranzistor chladič asi 0,3 ~‘.cm Poloha úprava desky C
měď 3. výkonové tranzistory, se
umísťují žebrované chladiče. 2. 2. impul
sovém provozu, zatěžován ztrátou, která přímo úměrná odevzdávané
mu výkonu nepřímo úměrná účinnosti koncového stupně.cm, mm, )
Já. Tepelné vodivosti materiálů chladičů faktory C
Materiál k(W ,°C . Potřebná část chladicícho profilu odřízne vyvrtají se
55
.torů zapojení třídě dána součinem jejich klidového proudu napě
tí.
Velikost tepelného odporu chladiče závisí materiálu, tvaru,
povrchové úpravě poloze.8 vodorovná čistá 1,00
hliník 2,1 svislá čistá 0,85
mosaz 1,1 vodorovná černěná 0,50
očel 0,46 svislá černěná 0,43
Pro chladicí desky, které nepřevyšují svými rozměry plochu asi cm2,
lze pro výpočet tepelného odporu použít zjednodušeného vztahu
650 C
K -------- (°C.
Tab.1. Kolektorový přechod tranzistorů zapojených třídě popř. -Konkrétní hodnoty tepelných vodivostí různých
materiálů faktory udává tab
