Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 55 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Tepelné vodivosti materiálů chladičů faktory C Materiál k(W ,°C .W cnr) Součástky, které vyžadují větší chlazení, např. 2. Platí přibližný vztah 3,3 650 , K C0’25 -----C (°C . Tento odpor ještě zvětší vložením izolační destičky tloušťky 0,05 mm mezi tranzistor chladič asi 0,3 ~‘.1. 2.torů zapojení třídě dána součinem jejich klidového proudu napě­ tí. Tepelný odpor mezi stejnou plochou tranzistoru chladiče K2bývá 0,1 až závisí jakosti styku pouzdra tranzistoru chladičem. Velikost tepelného odporu chladiče závisí materiálu, tvaru, povrchové úpravě poloze. Předpokládá se, plocha chladiče má přibližně čtvercový tvar chlazenou součástkou uprostřed.cm Poloha úprava desky C měď 3. výkonové tranzistory, se umísťují žebrované chladiče. Tab.8 vodorovná čistá 1,00 hliník 2,1 svislá čistá 0,85 mosaz 1,1 vodorovná černěná 0,50 očel 0,46 svislá černěná 0,43 Pro chladicí desky, které nepřevyšují svými rozměry plochu asi cm2, lze pro výpočet tepelného odporu použít zjednodušeného vztahu 650 C K -------- (°C.1. Kolektorový přechod tranzistorů zapojených třídě popř.cm, mm, ) Já. Žebrované profily dodávají výrobci ve větších délkách. impul­ sovém provozu, zatěžován ztrátou, která přímo úměrná odevzdávané­ mu výkonu nepřímo úměrná účinnosti koncového stupně.°C . -Konkrétní hodnoty tepelných vodivostí různých materiálů faktory udává tab. Zlepšení přechodu tepla z tranzistoru chladiče dosáhneme potřením dosedací plochy tranzisto­ ru silikonovým olejem nebo vazelínou. Potřebná část chladicícho profilu odřízne vyvrtají se 55 .d s kde Aje tepelná vodivost materiálu desky, tloušťka desky, plocha desky a korekční faktor