1. Kolektorový přechod tranzistorů zapojených třídě popř.
Tab. Zlepšení přechodu tepla
z tranzistoru chladiče dosáhneme potřením dosedací plochy tranzisto
ru silikonovým olejem nebo vazelínou. Platí přibližný vztah
3,3 650 ,
K C0’25 -----C (°C .°C .8 vodorovná čistá 1,00
hliník 2,1 svislá čistá 0,85
mosaz 1,1 vodorovná černěná 0,50
očel 0,46 svislá černěná 0,43
Pro chladicí desky, které nepřevyšují svými rozměry plochu asi cm2,
lze pro výpočet tepelného odporu použít zjednodušeného vztahu
650 C
K -------- (°C.torů zapojení třídě dána součinem jejich klidového proudu napě
tí.W cnr)
Součástky, které vyžadují větší chlazení, např. Tepelné vodivosti materiálů chladičů faktory C
Materiál k(W ,°C . -Konkrétní hodnoty tepelných vodivostí různých
materiálů faktory udává tab.
Tento odpor ještě zvětší vložením izolační destičky tloušťky 0,05 mm
mezi tranzistor chladič asi 0,3 ~‘.cm Poloha úprava desky C
měď 3.1.d s
kde Aje tepelná vodivost materiálu desky, tloušťka desky, plocha desky
a korekční faktor. impul
sovém provozu, zatěžován ztrátou, která přímo úměrná odevzdávané
mu výkonu nepřímo úměrná účinnosti koncového stupně. 2. 2. Předpokládá se, plocha chladiče
má přibližně čtvercový tvar chlazenou součástkou uprostřed.
Tepelný odpor mezi stejnou plochou tranzistoru chladiče K2bývá 0,1
až závisí jakosti styku pouzdra tranzistoru chladičem.
Velikost tepelného odporu chladiče závisí materiálu, tvaru,
povrchové úpravě poloze. výkonové tranzistory, se
umísťují žebrované chladiče.cm, mm, )
Já. Potřebná část chladicícho profilu odřízne vyvrtají se
55
. Žebrované profily dodávají výrobci ve
větších délkách
