cm, mm, )
Já. Kolektorový přechod tranzistorů zapojených třídě popř.
Tab.d s
kde Aje tepelná vodivost materiálu desky, tloušťka desky, plocha desky
a korekční faktor. Zlepšení přechodu tepla
z tranzistoru chladiče dosáhneme potřením dosedací plochy tranzisto
ru silikonovým olejem nebo vazelínou.1.°C . Potřebná část chladicícho profilu odřízne vyvrtají se
55
. výkonové tranzistory, se
umísťují žebrované chladiče. impul
sovém provozu, zatěžován ztrátou, která přímo úměrná odevzdávané
mu výkonu nepřímo úměrná účinnosti koncového stupně. 2.8 vodorovná čistá 1,00
hliník 2,1 svislá čistá 0,85
mosaz 1,1 vodorovná černěná 0,50
očel 0,46 svislá černěná 0,43
Pro chladicí desky, které nepřevyšují svými rozměry plochu asi cm2,
lze pro výpočet tepelného odporu použít zjednodušeného vztahu
650 C
K -------- (°C. 2. Tepelné vodivosti materiálů chladičů faktory C
Materiál k(W ,°C .1. -Konkrétní hodnoty tepelných vodivostí různých
materiálů faktory udává tab.
Velikost tepelného odporu chladiče závisí materiálu, tvaru,
povrchové úpravě poloze.torů zapojení třídě dána součinem jejich klidového proudu napě
tí. Žebrované profily dodávají výrobci ve
větších délkách.cm Poloha úprava desky C
měď 3.
Tepelný odpor mezi stejnou plochou tranzistoru chladiče K2bývá 0,1
až závisí jakosti styku pouzdra tranzistoru chladičem. Platí přibližný vztah
3,3 650 ,
K C0’25 -----C (°C .W cnr)
Součástky, které vyžadují větší chlazení, např. Předpokládá se, plocha chladiče
má přibližně čtvercový tvar chlazenou součástkou uprostřed.
Tento odpor ještě zvětší vložením izolační destičky tloušťky 0,05 mm
mezi tranzistor chladič asi 0,3 ~‘
