Platí přibližný vztah
3,3 650 ,
K C0’25 -----C (°C .
Tepelný odpor mezi stejnou plochou tranzistoru chladiče K2bývá 0,1
až závisí jakosti styku pouzdra tranzistoru chladičem.torů zapojení třídě dána součinem jejich klidového proudu napě
tí. Tepelné vodivosti materiálů chladičů faktory C
Materiál k(W ,°C . Zlepšení přechodu tepla
z tranzistoru chladiče dosáhneme potřením dosedací plochy tranzisto
ru silikonovým olejem nebo vazelínou.°C . Předpokládá se, plocha chladiče
má přibližně čtvercový tvar chlazenou součástkou uprostřed. impul
sovém provozu, zatěžován ztrátou, která přímo úměrná odevzdávané
mu výkonu nepřímo úměrná účinnosti koncového stupně. Kolektorový přechod tranzistorů zapojených třídě popř.W cnr)
Součástky, které vyžadují větší chlazení, např.8 vodorovná čistá 1,00
hliník 2,1 svislá čistá 0,85
mosaz 1,1 vodorovná černěná 0,50
očel 0,46 svislá černěná 0,43
Pro chladicí desky, které nepřevyšují svými rozměry plochu asi cm2,
lze pro výpočet tepelného odporu použít zjednodušeného vztahu
650 C
K -------- (°C. Potřebná část chladicícho profilu odřízne vyvrtají se
55
.cm, mm, )
Já. výkonové tranzistory, se
umísťují žebrované chladiče.1.1. -Konkrétní hodnoty tepelných vodivostí různých
materiálů faktory udává tab.
Tab. Žebrované profily dodávají výrobci ve
větších délkách.d s
kde Aje tepelná vodivost materiálu desky, tloušťka desky, plocha desky
a korekční faktor.cm Poloha úprava desky C
měď 3. 2.
Velikost tepelného odporu chladiče závisí materiálu, tvaru,
povrchové úpravě poloze.
Tento odpor ještě zvětší vložením izolační destičky tloušťky 0,05 mm
mezi tranzistor chladič asi 0,3 ~‘. 2
