Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 56 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
příslušné otvory uchycení chlazené součástky. Na závěr této kapitoly uvedeme symbolické označení nejpoužívanějších polovodičových součástek označením jednotlivých elektrod. Dobu pájení prbto vždy omezíme asi pět sekund. Výrobce předepisuje, aby během pájení nepřestoupila teplota přechodu germaniového prvku teplotu 110 křemíkového 200 °C. Některé schematické značky polovodičových součástek 56 . S tepelným namáháním polovodičů souvisí pájení jejich vývodů. 2. 2.15. A— dioda obecně A— 0)— stabilizační (Zenerova) dioda A— OH— kapacitní dioda (varikap) A-— luminiscenční dioda (LED) A— tyristor Ai triak diak B NPN -C B—HT tranzistor PNP tranzistor FET kanálem (JFET) G tranzistor FET kanálem P g tranzistor FET izolovanou řídicí elektrodou OSFET) tranzistor dvěma řídicími elektrodami — operační zesilovač Obr. Schematic­ ké značky jsou uvedeny obr.15. Tepelný odpor jedno­ tku délky chladiče udáván výrobci