Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 56 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Na závěr této kapitoly uvedeme symbolické označení nejpoužívanějších polovodičových součástek označením jednotlivých elektrod. Některé schematické značky polovodičových součástek 56 . 2. Dobu pájení prbto vždy omezíme asi pět sekund. Tepelný odpor jedno­ tku délky chladiče udáván výrobci.příslušné otvory uchycení chlazené součástky. Schematic­ ké značky jsou uvedeny obr. A— dioda obecně A— 0)— stabilizační (Zenerova) dioda A— OH— kapacitní dioda (varikap) A-— luminiscenční dioda (LED) A— tyristor Ai triak diak B NPN -C B—HT tranzistor PNP tranzistor FET kanálem (JFET) G tranzistor FET kanálem P g tranzistor FET izolovanou řídicí elektrodou OSFET) tranzistor dvěma řídicími elektrodami — operační zesilovač Obr. Výrobce předepisuje, aby během pájení nepřestoupila teplota přechodu germaniového prvku teplotu 110 křemíkového 200 °C.15. S tepelným namáháním polovodičů souvisí pájení jejich vývodů.15. 2