Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 54 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
14. Náhradní schéma chlazení Při návrhu chlazení vycházíme zjednodušeného náhradního schéma­ tu obr. Naopak předem daného chladiče, něhož známe tepelný odpor, může­ me určit maximální ztrátu přechodu PCmm. Tato ztráta diod tranzis­ 54 . 2. tepelných odporů mezi zdroj tepla a okolí. 2.14 obdobné zapojení zdroje napětí sériově řazenými rezistory R3. 2. Proto bývají výrobce zpravidla přizpůsobeny teplotně vodivému spojení vhodným chladi­ čem. Celé schéma z obr. Veličina K2představuje odpor styku samotného tranzisto­ ru chladičem tepelný odpor chladiče označen jako K3. Tepelný odpor příslušné součásti konstanta, která udává kolik °C zvýší teplota součástky vzhledem okolí, zatížíme-li ztrátou W. podobnosti těchto obvodů lze dokázat, maximální dovolená ztráta přechodu PCmax pro nejvyšší dovolenou teplotu ójniax, teplotu okolí celkový tepelný odpor dána výrazem PCma, ř>• (W; °C, 1) K Známe-li tedy výkonovou ztrátu přechodu, jeho mezní dovolenou teplotu teplotu okolí, můžeme určit celkový tepelný odpor chlazení. U tranzistorů nebo diod malým výkonem někdy počítá tepelný odpor ve mW. Obr. Tento teplotní spád se snižuje zařazením tzv. Součástka označená schématu jako představuje tepelný odpor z kolektorového přechodu tranzistoru povrch pouzdra. Jeho velikost udává výrobce.14.částky teplejší než okolí ochlazují zářením nebo přirozeným prouděním okolního vzduchu. Přídavné chlazení vedením vyžadují především polovodičové součástky, které jsou více zatěžovány ztrátovým teplem. Zdroj tepla označíme jako rozdíl teploty vnitřního systému chlazeného prvku ů}a teploty okolí ůa, tedy ř)a