Součástka označená schématu jako představuje tepelný odpor
z kolektorového přechodu tranzistoru povrch pouzdra. podobnosti těchto obvodů lze dokázat, maximální
dovolená ztráta přechodu PCmax pro nejvyšší dovolenou teplotu ójniax,
teplotu okolí celkový tepelný odpor dána
výrazem
PCma, ř>• (W; °C, 1)
K
Známe-li tedy výkonovou ztrátu přechodu, jeho mezní dovolenou
teplotu teplotu okolí, můžeme určit celkový tepelný odpor chlazení. 2. Tento teplotní spád
se snižuje zařazením tzv. Veličina K2představuje odpor styku samotného tranzisto
ru chladičem tepelný odpor chladiče označen jako K3. Tato ztráta diod tranzis
54
. Zdroj tepla označíme jako rozdíl teploty vnitřního systému
chlazeného prvku ů}a teploty okolí ůa, tedy ř)a. 2.
U tranzistorů nebo diod malým výkonem někdy počítá tepelný odpor
ve mW. Proto bývají výrobce
zpravidla přizpůsobeny teplotně vodivému spojení vhodným chladi
čem.14. Tepelný odpor příslušné součásti konstanta, která udává kolik
°C zvýší teplota součástky vzhledem okolí, zatížíme-li ztrátou W.
Obr. Jeho velikost
udává výrobce. tepelných odporů mezi zdroj tepla
a okolí. 2.
Naopak předem daného chladiče, něhož známe tepelný odpor, může
me určit maximální ztrátu přechodu PCmm.14.
Přídavné chlazení vedením vyžadují především polovodičové součástky,
které jsou více zatěžovány ztrátovým teplem. Náhradní schéma chlazení
Při návrhu chlazení vycházíme zjednodušeného náhradního schéma
tu obr.14 obdobné zapojení zdroje napětí sériově řazenými
rezistory R3.částky teplejší než okolí ochlazují zářením nebo přirozeným prouděním
okolního vzduchu. Celé schéma
z obr
