Obr. Proto bývají výrobce
zpravidla přizpůsobeny teplotně vodivému spojení vhodným chladi
čem. tepelných odporů mezi zdroj tepla
a okolí. Veličina K2představuje odpor styku samotného tranzisto
ru chladičem tepelný odpor chladiče označen jako K3. Zdroj tepla označíme jako rozdíl teploty vnitřního systému
chlazeného prvku ů}a teploty okolí ůa, tedy ř)a. Tento teplotní spád
se snižuje zařazením tzv. 2.
Součástka označená schématu jako představuje tepelný odpor
z kolektorového přechodu tranzistoru povrch pouzdra. Tepelný odpor příslušné součásti konstanta, která udává kolik
°C zvýší teplota součástky vzhledem okolí, zatížíme-li ztrátou W.14 obdobné zapojení zdroje napětí sériově řazenými
rezistory R3. 2.
U tranzistorů nebo diod malým výkonem někdy počítá tepelný odpor
ve mW. Celé schéma
z obr.
Přídavné chlazení vedením vyžadují především polovodičové součástky,
které jsou více zatěžovány ztrátovým teplem.14. 2. Náhradní schéma chlazení
Při návrhu chlazení vycházíme zjednodušeného náhradního schéma
tu obr.částky teplejší než okolí ochlazují zářením nebo přirozeným prouděním
okolního vzduchu. podobnosti těchto obvodů lze dokázat, maximální
dovolená ztráta přechodu PCmax pro nejvyšší dovolenou teplotu ójniax,
teplotu okolí celkový tepelný odpor dána
výrazem
PCma, ř>• (W; °C, 1)
K
Známe-li tedy výkonovou ztrátu přechodu, jeho mezní dovolenou
teplotu teplotu okolí, můžeme určit celkový tepelný odpor chlazení. Jeho velikost
udává výrobce.
Naopak předem daného chladiče, něhož známe tepelný odpor, může
me určit maximální ztrátu přechodu PCmm. Tato ztráta diod tranzis
54
.14
