Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 54 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Naopak předem daného chladiče, něhož známe tepelný odpor, může­ me určit maximální ztrátu přechodu PCmm. Tento teplotní spád se snižuje zařazením tzv. 2. Obr. Proto bývají výrobce zpravidla přizpůsobeny teplotně vodivému spojení vhodným chladi­ čem. Zdroj tepla označíme jako rozdíl teploty vnitřního systému chlazeného prvku ů}a teploty okolí ůa, tedy ř)a. U tranzistorů nebo diod malým výkonem někdy počítá tepelný odpor ve mW.částky teplejší než okolí ochlazují zářením nebo přirozeným prouděním okolního vzduchu.14. Jeho velikost udává výrobce. Tepelný odpor příslušné součásti konstanta, která udává kolik °C zvýší teplota součástky vzhledem okolí, zatížíme-li ztrátou W. tepelných odporů mezi zdroj tepla a okolí. Součástka označená schématu jako představuje tepelný odpor z kolektorového přechodu tranzistoru povrch pouzdra. Veličina K2představuje odpor styku samotného tranzisto­ ru chladičem tepelný odpor chladiče označen jako K3. 2.14 obdobné zapojení zdroje napětí sériově řazenými rezistory R3. Celé schéma z obr. 2. podobnosti těchto obvodů lze dokázat, maximální dovolená ztráta přechodu PCmax pro nejvyšší dovolenou teplotu ójniax, teplotu okolí celkový tepelný odpor dána výrazem PCma, ř>• (W; °C, 1) K Známe-li tedy výkonovou ztrátu přechodu, jeho mezní dovolenou teplotu teplotu okolí, můžeme určit celkový tepelný odpor chlazení. Přídavné chlazení vedením vyžadují především polovodičové součástky, které jsou více zatěžovány ztrátovým teplem. Tato ztráta diod tranzis­ 54 . Náhradní schéma chlazení Při návrhu chlazení vycházíme zjednodušeného náhradního schéma­ tu obr.14