Náhradní schéma chlazení
Při návrhu chlazení vycházíme zjednodušeného náhradního schéma
tu obr. Tato ztráta diod tranzis
54
.14. Zdroj tepla označíme jako rozdíl teploty vnitřního systému
chlazeného prvku ů}a teploty okolí ůa, tedy ř)a. Proto bývají výrobce
zpravidla přizpůsobeny teplotně vodivému spojení vhodným chladi
čem. 2.
Obr.částky teplejší než okolí ochlazují zářením nebo přirozeným prouděním
okolního vzduchu. Tepelný odpor příslušné součásti konstanta, která udává kolik
°C zvýší teplota součástky vzhledem okolí, zatížíme-li ztrátou W.14 obdobné zapojení zdroje napětí sériově řazenými
rezistory R3. tepelných odporů mezi zdroj tepla
a okolí.
Přídavné chlazení vedením vyžadují především polovodičové součástky,
které jsou více zatěžovány ztrátovým teplem. 2. Veličina K2představuje odpor styku samotného tranzisto
ru chladičem tepelný odpor chladiče označen jako K3. 2.
Naopak předem daného chladiče, něhož známe tepelný odpor, může
me určit maximální ztrátu přechodu PCmm.
U tranzistorů nebo diod malým výkonem někdy počítá tepelný odpor
ve mW.
Součástka označená schématu jako představuje tepelný odpor
z kolektorového přechodu tranzistoru povrch pouzdra. Tento teplotní spád
se snižuje zařazením tzv.14. Jeho velikost
udává výrobce. Celé schéma
z obr. podobnosti těchto obvodů lze dokázat, maximální
dovolená ztráta přechodu PCmax pro nejvyšší dovolenou teplotu ójniax,
teplotu okolí celkový tepelný odpor dána
výrazem
PCma, ř>• (W; °C, 1)
K
Známe-li tedy výkonovou ztrátu přechodu, jeho mezní dovolenou
teplotu teplotu okolí, můžeme určit celkový tepelný odpor chlazení
