Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 230 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Pokud zpracováváme signály frekvencích podstatně nižších, než je mezní frekvence tranzistoru, můžeme náhradní zapojení zjednodušit. 8. Obsahuje ideální tranzistor charakterizovaný pouze strmostí vstupní vodivostí s odporem kapacitou Zátěž tvořena reálnou částí kapacitní částí C7. Zjednodušené náhradní schéma tranzistoru pro vyšší 0 frekvence Je-li zatěžovací odpor roven označíme-li C/G jako CvRz jako rz, dostáváme tyto vztahy pro náhradní zapojení širokopásmového zesilo­ vače uvedená zjednodušení: pro napěťové zesílení A —SRZ 1 JOJTz pro vstupní impedanci 1 1 Zu -------------- G JfflT a pro výstupní impedanci 1 Z22 z 1 OJTz Z uvedeného příkladu zřejmé, určitých okolností lze výpočet širokopásmového zesilovače značně zjednodušit. Přitom velikost parametrů lze získat měřením při nízkých frekven­ cích. 8. 2 u2 Obr. Tak dojdeme ještě jednoduššímu zapojení podle obr. Dále můžeme kapacitu ccezahr­ nout vnější připojené impedance zanedbat vliv zpětnovazební kapa­ city cbc, která moderních vysokofrekvenčních tranzistorech malá. Míra zjednodušení závisí 233 .5. Toto schéma platí pro všechna základní zapojení tranzistorů.5. Předně můžeme zanedbat vliv odporů rbc rce, které jsou proti připoje­ ným vnějším impedancím obvykle velké