Míra zjednodušení závisí
233
. Tak
dojdeme ještě jednoduššímu zapojení podle obr.5. Obsahuje ideální
tranzistor charakterizovaný pouze strmostí vstupní vodivostí s
odporem kapacitou Zátěž tvořena reálnou částí kapacitní
částí C7.
Přitom velikost parametrů lze získat měřením při nízkých frekven
cích.
2
u2 Obr. Dále můžeme kapacitu ccezahr
nout vnější připojené impedance zanedbat vliv zpětnovazební kapa
city cbc, která moderních vysokofrekvenčních tranzistorech malá. Toto schéma platí pro všechna základní zapojení tranzistorů.5. 8.
Předně můžeme zanedbat vliv odporů rbc rce, které jsou proti připoje
ným vnějším impedancím obvykle velké. Zjednodušené náhradní
schéma tranzistoru pro vyšší
0 frekvence
Je-li zatěžovací odpor roven označíme-li C/G jako CvRz jako
rz, dostáváme tyto vztahy pro náhradní zapojení širokopásmového zesilo
vače uvedená zjednodušení:
pro napěťové zesílení
A —SRZ
1 JOJTz
pro vstupní impedanci
1 1
Zu --------------
G JfflT
a pro výstupní impedanci
1
Z22 z
1 OJTz
Z uvedeného příkladu zřejmé, určitých okolností lze výpočet
širokopásmového zesilovače značně zjednodušit.Pokud zpracováváme signály frekvencích podstatně nižších, než je
mezní frekvence tranzistoru, můžeme náhradní zapojení zjednodušit. 8
