Obsahuje ideální
tranzistor charakterizovaný pouze strmostí vstupní vodivostí s
odporem kapacitou Zátěž tvořena reálnou částí kapacitní
částí C7. Dále můžeme kapacitu ccezahr
nout vnější připojené impedance zanedbat vliv zpětnovazební kapa
city cbc, která moderních vysokofrekvenčních tranzistorech malá.
2
u2 Obr. Toto schéma platí pro všechna základní zapojení tranzistorů.Pokud zpracováváme signály frekvencích podstatně nižších, než je
mezní frekvence tranzistoru, můžeme náhradní zapojení zjednodušit. Míra zjednodušení závisí
233
.
Předně můžeme zanedbat vliv odporů rbc rce, které jsou proti připoje
ným vnějším impedancím obvykle velké. Zjednodušené náhradní
schéma tranzistoru pro vyšší
0 frekvence
Je-li zatěžovací odpor roven označíme-li C/G jako CvRz jako
rz, dostáváme tyto vztahy pro náhradní zapojení širokopásmového zesilo
vače uvedená zjednodušení:
pro napěťové zesílení
A —SRZ
1 JOJTz
pro vstupní impedanci
1 1
Zu --------------
G JfflT
a pro výstupní impedanci
1
Z22 z
1 OJTz
Z uvedeného příkladu zřejmé, určitých okolností lze výpočet
širokopásmového zesilovače značně zjednodušit. 8.5.
Přitom velikost parametrů lze získat měřením při nízkých frekven
cích.5. 8. Tak
dojdeme ještě jednoduššímu zapojení podle obr
