Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 229 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Zjednodušená metoda výpočtu širokopásmových zesilovačů meto­ dicky výborně zpracovaná knize [1]. Náhradní schéma tranzistoru 232 . Hodnoty propojení prvků náhradního zapojení mají platnost do frekvence, která rovná asi polovině mezní frekvence zapojení se společnou bází. 8. sériový odpor báze rVe vnitřní vstupní odpor cbe vnitřní vstupní kapacita cbc vnitřní zpětnovazební kapacita rbc vnitřní zpětnovazební odpor rce výstupní odpor cce výstupní kapacita Většinu těchto parametrů udávají výrobci vysokofrekvenčních tranzistorů ve svých podrobnějších katalozích, někdy úpravou jako parametry y nebo r. publikaci [2], Unipolárními tranzistory širšího pohledu včetně vysokofrekvenčních aplikací zabývá pramen [3], Konkrétní využití všech typů vysoko­ frekvenční technice však musíme hledat periodické odborné literatuře, která poměrně malým zpožděním schopna reagovat všechny novinky. Úplné náhradní schéma tranzistoru společným emitorem na obr.4. uvedeme základní vztahy pro zesílení jednoho stupně bipolárním tranzistorem obvyklém zapojení se společným emitorem.4. 8. Obecně podrobněji problematika vysokofrek­ venčních tranzistorových zesilovačů zpracovaná např. náhradním zapojení znamená: M, vstupní napětí zanedbatelné úrovně S strmost tranzistoru daném pracovním bodě rbb. Obr