Náhradní schéma tranzistoru
232
. sériový odpor báze
rVe vnitřní vstupní odpor
cbe vnitřní vstupní kapacita
cbc vnitřní zpětnovazební kapacita
rbc vnitřní zpětnovazební odpor
rce výstupní odpor
cce výstupní kapacita
Většinu těchto parametrů udávají výrobci vysokofrekvenčních tranzistorů
ve svých podrobnějších katalozích, někdy úpravou jako parametry
y nebo r. Hodnoty propojení prvků náhradního zapojení mají platnost do
frekvence, která rovná asi polovině mezní frekvence zapojení se
společnou bází. Obecně podrobněji problematika vysokofrek
venčních tranzistorových zesilovačů zpracovaná např.
Obr.Zjednodušená metoda výpočtu širokopásmových zesilovačů meto
dicky výborně zpracovaná knize [1].4. 8. 8. publikaci [2],
Unipolárními tranzistory širšího pohledu včetně vysokofrekvenčních
aplikací zabývá pramen [3], Konkrétní využití všech typů vysoko
frekvenční technice však musíme hledat periodické odborné literatuře,
která poměrně malým zpožděním schopna reagovat všechny
novinky.4. náhradním zapojení znamená:
M, vstupní napětí zanedbatelné úrovně
S strmost tranzistoru daném pracovním bodě
rbb.
Úplné náhradní schéma tranzistoru společným emitorem na
obr. uvedeme základní vztahy pro
zesílení jednoho stupně bipolárním tranzistorem obvyklém zapojení se
společným emitorem
