Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 231 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
výpočtu mohou být ztráty paralelního obvodu vyjádře­ ny buď paralelním odporem RP, nebo sériovým odporem Rs. "f 4= c paralelní rezonanční obvody Obr. Paralelní sériový rezonanční obvod sériový rezonanční obvod U rezonančního obvodu jsou důležité některé parametry, nichž si uvedeme hlavní. 8. Rezonanční frekvence dána obvodovými prvky C 1 o)t (rad.6). Reálný odpor cívky laděného obvodu představuje převážnou část jeho ztrát.6. sériového laděného obvodu vyjadřují ztráty jen sériovým odporem Rs.podmínkách, které jsou podrobně rozvedeny zmíněném pramenu [!]• Hlavní částí laděného vysokofrekvenčního zesilovače laděný obvod LC, který skládá cívky indukčnosti kondenzátoru kapacitě C.s F) J c 234 . Ztráty paralelního obvodu vyjádřené odporem nebo Rs lze vzájemně převádět, neboť jsou vztahu mlh2 R P'p Rs kde o>r 2jtf tzv. 8. Při této rezonanční frekvenci impedance paralelního rezonančního obvodu největší je rovna reálnému odporu RP. Existují dva základní typy laděných obvodů, paralelní sériový (obr. rezonančnífrekvence obvodu