Obvody zesilovačů a přijímačů

| Kategorie: Kniha  | Tento dokument chci!

Vydal: Státní nakladatelství technické literatury Autor: Milan Syrovátko

Strana 231 z 360

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
6). Paralelní sériový rezonanční obvod sériový rezonanční obvod U rezonančního obvodu jsou důležité některé parametry, nichž si uvedeme hlavní. 8. Rezonanční frekvence dána obvodovými prvky C 1 o)t (rad. rezonančnífrekvence obvodu. Při této rezonanční frekvenci impedance paralelního rezonančního obvodu největší je rovna reálnému odporu RP. Ztráty paralelního obvodu vyjádřené odporem nebo Rs lze vzájemně převádět, neboť jsou vztahu mlh2 R P'p Rs kde o>r 2jtf tzv. "f 4= c paralelní rezonanční obvody Obr. výpočtu mohou být ztráty paralelního obvodu vyjádře­ ny buď paralelním odporem RP, nebo sériovým odporem Rs. 8.s F) J c 234 .6. Reálný odpor cívky laděného obvodu představuje převážnou část jeho ztrát.podmínkách, které jsou podrobně rozvedeny zmíněném pramenu [!]• Hlavní částí laděného vysokofrekvenčního zesilovače laděný obvod LC, který skládá cívky indukčnosti kondenzátoru kapacitě C. Existují dva základní typy laděných obvodů, paralelní sériový (obr. sériového laděného obvodu vyjadřují ztráty jen sériovým odporem Rs