Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 129 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Bývá obvykle UGE MAX ±20V. Napěťově proudově tato dioda vždy kompatibilní tranzistorem. a) Mezní parametry: UCE -závěrné napětí. +12V, nebo +5V tzv. Existují též MOS-FETy určené přímému řízení logickým signálem výstupu TTL hradla, s obchodním názvem Logic-Level Transistor (International Rectifier). tom případě její činnost eliminuje diodou sériově řazenou tranzistoru teprve tato dvojice překlene rychlou externí nulovou diodou (přibližně trr = 0,3µs). c) Dynamické parametry: Tranzistor: toff -celková vypínací doba doba přesahu doba poklesu (storage time fall time), měřeno při ID, při budicím napětí buď UGS ±15V, nebo UGS +15V (popř. 10. U běžných vysokonapěťových tranzistorů však velmi pomalá (přibližně trr 1µs), takže je nevyužitelná jako nulová dioda větvi. nutno dodržovat výrobcem doporučenou hodnotu. Pak taková substrátová dioda plně využitelná. Každý MOS-FET obsahuje principiálně vždy tzv. Měřeno při komutaci dopředného proudu IC. Nízkovoltové tranzistory (pod 100V) mají substrátovou diodu dostatečně rychlou vždy (0,3 až 0,5µs) přirozených fyzikálních důvodů. dráze C-E vykazuje čtyřvrstvová PNPN struktura velikou proudovou zatížitelnost.3 Tranzistory IGBT Mají veliký význam rozsahu spínaných proudů nad 10A, měničích zpracovávajících vstupní napětí 300V (jednofázová usměrněná síť) 540V (trojfázová usměrněná siť). Existují však tranzistory substrátovou diodou, vhodně fyzikálně upravenou, jejíž zotavovací doba pohybuje oblasti 0,3µs. parazitní substrátovou diodu, zapojenou antiparalelně tranzistoru.129 UGS (th) -prahové napětí řídicí elektrody (Threshold-voltage). hlediska uživatele řídicí elektroda chová zcela stejně jako MOS-FET předchozí kapitoly. obchodní název FRED-FET (Fast Recovery Diode; Siemens), FETKY (FET Schottky diode; International Rectifier). Např. ton -zapínací doba. Pozor, doba toff výrazně závislá odporu RG, který je zapojen série řídicí elektrodou. Jejich prahové napětí činí asi 2V, při +5V jsou plně otevřeny. Mezní proudy: IC -jmenovitý, typový, trvalý stejnosměrný (při dobrém chladiči), špičkový opakovatelný (při úmyslně poddimenzovaném chladiči). Logic-level tranzistorů). Jsou nepatrně pomalejší oproti tranzistorům MOS-FET téměř řádově rychlejší vůči BT. UGE MAX -maximální (průrazné) napětí řídicí elektrody. CGS -vstupní kapacita řídicí elektrody, mezi G-S. . souvisí vstupní kapacitou řídicí elektrody. (short) značí, při měření řídicí elektroda zkratována emitorem. Nulová dioda spolupracující tranzistorem: trr, Qrr, Irr -zotavovací doba, zotavovací náboj, špičková hodnota zotavovacího proudu. Polarita proudu napětí odpovídá tranzistoru NPN