Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 129 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Logic-level tranzistorů). (short) značí, při měření řídicí elektroda zkratována emitorem.
UGE MAX -maximální (průrazné) napětí řídicí elektrody. Nízkovoltové tranzistory (pod 100V) mají substrátovou diodu dostatečně rychlou vždy (0,3
až 0,5µs) přirozených fyzikálních důvodů. Napěťově proudově tato dioda vždy kompatibilní tranzistorem. Např. Polarita proudu napětí odpovídá tranzistoru NPN. U
běžných vysokonapěťových tranzistorů však velmi pomalá (přibližně trr 1µs), takže je
nevyužitelná jako nulová dioda větvi. nutno dodržovat výrobcem doporučenou
hodnotu.
. tom případě její činnost eliminuje diodou sériově
řazenou tranzistoru teprve tato dvojice překlene rychlou externí nulovou diodou (přibližně trr =
0,3µs).
10.
Každý MOS-FET obsahuje principiálně vždy tzv. Pozor, doba toff výrazně závislá odporu RG, který
je zapojen série řídicí elektrodou. parazitní substrátovou diodu, zapojenou
antiparalelně tranzistoru. Měřeno při
komutaci dopředného proudu IC. hlediska uživatele řídicí elektroda
chová zcela stejně jako MOS-FET předchozí kapitoly. obchodní
název FRED-FET (Fast Recovery Diode; Siemens), FETKY (FET Schottky diode; International
Rectifier). souvisí vstupní kapacitou řídicí elektrody. dráze C-E vykazuje čtyřvrstvová PNPN
struktura velikou proudovou zatížitelnost. Jejich prahové napětí činí asi 2V,
při +5V jsou plně otevřeny.
c) Dynamické parametry:
Tranzistor:
toff -celková vypínací doba doba přesahu doba poklesu (storage time fall time), měřeno
při ID, při budicím napětí buď UGS ±15V, nebo UGS +15V (popř.
ton -zapínací doba. Existují však tranzistory substrátovou diodou, vhodně fyzikálně upravenou, jejíž zotavovací
doba pohybuje oblasti 0,3µs.129
UGS (th) -prahové napětí řídicí elektrody (Threshold-voltage). Bývá obvykle UGE MAX ±20V.
a) Mezní parametry:
UCE -závěrné napětí. +12V, nebo
+5V tzv.3 Tranzistory IGBT
Mají veliký význam rozsahu spínaných proudů nad 10A, měničích zpracovávajících vstupní napětí
300V (jednofázová usměrněná síť) 540V (trojfázová usměrněná siť).
Mezní proudy:
IC -jmenovitý, typový, trvalý stejnosměrný (při dobrém chladiči), špičkový opakovatelný
(při úmyslně poddimenzovaném chladiči). Jsou nepatrně pomalejší oproti
tranzistorům MOS-FET téměř řádově rychlejší vůči BT.
CGS -vstupní kapacita řídicí elektrody, mezi G-S.
Existují též MOS-FETy určené přímému řízení logickým signálem výstupu TTL hradla, s
obchodním názvem Logic-Level Transistor (International Rectifier). Pak taková substrátová dioda plně využitelná.
Nulová dioda spolupracující tranzistorem:
trr, Qrr, Irr -zotavovací doba, zotavovací náboj, špičková hodnota zotavovacího proudu
