Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 128 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
Zde nutná obezřetnost, zvláště „ekvivalentů“ vyrobených Asii. Stavějí pouze jako obohacovací typ, tj. Měřeno při komutaci dopředného proudu IC. náboj, resp. UGS MAX -maximální (průrazné) napětí řídicí elektrody. Maximální ztrátový výkon: PD MAX -maximální ztrátový výkon, ovšem pozor, při ideálním chladiči, udržujícím pouzdro na teplotě 25°C. a) Mezní parametry: U(BR)DS -závěrné (průrazné) napětí. Pozor, nejsou ustálena pravidla, obvykle údaj RDS (on) pravdivý pro proudy přibližně poloviční než jmenovitá hodnota ID. Často není uveden. špičková hodnota zotav. obvykle pro UGS +15V. Indexy: (Break), (Drain Source, kolektor emitor), (short) značí, při měření je řídicí elektroda zkratována emitorem. . Bývá obvykle UGS MAX ±20V. Při bývá odpor zpravidla vetší (nelinearita mezní „přímky“). Jsou nejrychlejší všech jmenovaných součástek.2 Tranzistory MOS-FET Mají velký význam měničích zpracovávajících vstupní napětí 300V (jednofázová usměrněná síť). mají kladné prahové napětí řídicí elektrody (+2 V), při jehož překročení začíná téci kolektorový proud.128 Tranzistor: toff -celková vypínací doba doba přesahu doba poklesu (storage time fall time), měřeno při IC, +IB1, −IB2 (+IB1 kladný budicí proud, −IB2 špičková hodnota (kolem 3A) záporného odsávacího proudu odsávaného báze během doby toff). Bezpečná pracovní oblast SOA: Žádný výrobce neuvádí, není definována. b) Statické parametry: RDS (on) -odpor sepnutém stavu. Uvedeno pro jmenovité budicí napětí, tj. Napětím nulovým nebo záporným jsou udržovány spolehlivě vypnutém stavu. Vysokonapěťové typy existují pouze provedení s kanálem (analogie NPN). 10. Mezní proudy: ID -jmenovitý, typový, trvalý stejnosměrný (při dobrém chladiči), špičkový opakovatelný (při úmyslně poddimenzovaném chladiči). ton -zapínací doba. proudu. IDM -špičkový neopakovatelný, jednorázový, havarijní (ve smyslu jednorázového „pokusu o vypnutí“ havarijního zkratového proudu). Nulová dioda spolupracující tranzistorem: trr, Qrr, Irr -zotavovací doba, zotav