Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 128 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Uvedeno pro jmenovité budicí napětí, tj.
.
Jsou nejrychlejší všech jmenovaných součástek.
ton -zapínací doba. Napětím nulovým
nebo záporným jsou udržovány spolehlivě vypnutém stavu.
Bezpečná pracovní oblast SOA:
Žádný výrobce neuvádí, není definována.
IDM -špičkový neopakovatelný, jednorázový, havarijní (ve smyslu jednorázového „pokusu o
vypnutí“ havarijního zkratového proudu).
10. obvykle pro UGS +15V. mají kladné prahové napětí
řídicí elektrody (+2 V), při jehož překročení začíná téci kolektorový proud. Při bývá odpor zpravidla vetší (nelinearita mezní „přímky“). špičková hodnota zotav.
Maximální ztrátový výkon:
PD MAX -maximální ztrátový výkon, ovšem pozor, při ideálním chladiči, udržujícím pouzdro na
teplotě 25°C. Bývá obvykle UGS MAX ±20V.128
Tranzistor:
toff -celková vypínací doba doba přesahu doba poklesu (storage time fall time), měřeno
při IC, +IB1, −IB2 (+IB1 kladný budicí proud, −IB2 špičková hodnota (kolem 3A)
záporného odsávacího proudu odsávaného báze během doby toff).2 Tranzistory MOS-FET
Mají velký význam měničích zpracovávajících vstupní napětí 300V (jednofázová usměrněná síť). náboj, resp. Často není uveden. Stavějí pouze jako obohacovací typ, tj. Vysokonapěťové typy existují pouze provedení s
kanálem (analogie NPN).
b) Statické parametry:
RDS (on) -odpor sepnutém stavu. proudu. Zde nutná
obezřetnost, zvláště „ekvivalentů“ vyrobených Asii.
a) Mezní parametry:
U(BR)DS -závěrné (průrazné) napětí.
Indexy: (Break), (Drain Source, kolektor emitor), (short) značí, při měření
je řídicí elektroda zkratována emitorem.
UGS MAX -maximální (průrazné) napětí řídicí elektrody.
Mezní proudy:
ID -jmenovitý, typový, trvalý stejnosměrný (při dobrém chladiči), špičkový opakovatelný
(při úmyslně poddimenzovaném chladiči). Pozor, nejsou ustálena
pravidla, obvykle údaj RDS (on) pravdivý pro proudy přibližně poloviční než jmenovitá
hodnota ID.
Nulová dioda spolupracující tranzistorem:
trr, Qrr, Irr -zotavovací doba, zotav. Měřeno při
komutaci dopředného proudu IC
