Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 127 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Single-tranzistory rozsahu proudů 10A jsou plně nahraditelné
tranzistory MOS-FET, které jsou podstatně rychlejší (asi 5-krát) především jsou buzeny nevýkonově,
pouze napěťově. Darlingtony rozsahu proudů 15A výše jsou zcela vytlačeny tranzistory IGBT ze
stejných důvodů. napěťovou třídu
tranzistoru (např. Konkrétní čísla jsou úměrná
robustnosti čipu. Osciloskop zobrazuje průběh prac.
bodu výstupních charakteristikách při vypínání proudu asi 1A, tekoucího tlumivkou
asi 2mH. Přechod
B-E průběhu vypínání polarizován závěrném směru napětím UBE −5V.
UCE SAT -saturační napětí, měřeno při IC, +IB1. během jednoho vypnutí tranzistoru maří definovaná energie
1/2 LI2
= 1mJ.
Závěrná napětí měřená dynamicky: UCE (SUS), UCE (SUS), UCE (SUS). Pozor, UCE bývá podstatně nižší (např. 1000V). musí tranzistor vstřebat bez destrukce. Obvykle bývá ICM IC.
c) Dynamické parametry:
.
Skupina závěrných napětí UCB UCE UCE bývá číselně téměř shodná definuje tzv.1 Bipolární tranzistory
Jejich význam spínacích výkonových aplikacích klesá (pozor, jiných oblastech jejich význam
stále veliký nezastupitelný).127
10. 350V).
b) Statické parametry:
h21E (hFE) proudový zesilovací činitel, měřeno při IC, UCE nebo 5V.
S -(short) přechod B-E zkratován.
R -přechod B-E překlenut odporem RBE 100Ω.
Vysokonapěťové typy existují pouze provedení NPN.
ICM -špičkový neopakovatelný, jednorázový, havarijní (ve smyslu jednorázového „pokusu o
vypnutí“ havarijního zkratového proudu). Graficky ohraničená oblast výstupních V-A
charakteristikách, kterou nesmí pracovní bod průběhu vypínacího děje překročit (havárie).
UBE SAT -saturační napětí, měřeno při IC, +IB1.
SUS -(sustain vydržet, snést) dynamické měření průrazného napětí pomocí osciloskopu v
zapisovačovém módu X-Y.
a) Mezní parametry:
Závěrná napětí měřená staticky: UCB UCE (nebo UCE V), UCE UCE UCE 0. Tj. Pozor, SOA
naprosto nesouvisí SOA (Forward Biased SOA), která týká lineárního režimu.
Bezpečná pracovní oblast SOA:
(Reverse Biased Safe Operating Area).
X (neboV) -přechod B-E polarizován závěrném směru napětím UBE −5V. Při měření pracuje tranzistor zapojení blokujícího měniče,
zvyšujícího napětí hodnotu průrazného napětí.
Význam indexů:
0 -nezapojena zbývající elektroda.
Mezní proudy:
IC -jmenovitý, typový, trvalý stejnosměrný (při dobrém chladiči), špičkový opakovatelný
(při úmyslně poddimenzovaném chladiči)
