Napájení elektronických zařízení (přednášky)

| Kategorie: Skripta  | Tento dokument chci!

Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...

Vydal: FEKT VUT Brno Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka

Strana 127 z 139

Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.

Jak získat tento dokument?






Poznámky redaktora
UCE SAT -saturační napětí, měřeno při IC, +IB1. Mezní proudy: IC -jmenovitý, typový, trvalý stejnosměrný (při dobrém chladiči), špičkový opakovatelný (při úmyslně poddimenzovaném chladiči). Vysokonapěťové typy existují pouze provedení NPN. SUS -(sustain vydržet, snést) dynamické měření průrazného napětí pomocí osciloskopu v zapisovačovém módu X-Y.127 10. Obvykle bývá ICM IC. UBE SAT -saturační napětí, měřeno při IC, +IB1. b) Statické parametry: h21E (hFE) proudový zesilovací činitel, měřeno při IC, UCE nebo 5V. X (neboV) -přechod B-E polarizován závěrném směru napětím UBE −5V. 350V). Pozor, UCE bývá podstatně nižší (např. Pozor, SOA naprosto nesouvisí SOA (Forward Biased SOA), která týká lineárního režimu. a) Mezní parametry: Závěrná napětí měřená staticky: UCB UCE (nebo UCE V), UCE UCE UCE 0. Význam indexů: 0 -nezapojena zbývající elektroda. Graficky ohraničená oblast výstupních V-A charakteristikách, kterou nesmí pracovní bod průběhu vypínacího děje překročit (havárie). Konkrétní čísla jsou úměrná robustnosti čipu. bodu výstupních charakteristikách při vypínání proudu asi 1A, tekoucího tlumivkou asi 2mH. musí tranzistor vstřebat bez destrukce. během jednoho vypnutí tranzistoru maří definovaná energie 1/2 LI2 = 1mJ. ICM -špičkový neopakovatelný, jednorázový, havarijní (ve smyslu jednorázového „pokusu o vypnutí“ havarijního zkratového proudu).1 Bipolární tranzistory Jejich význam spínacích výkonových aplikacích klesá (pozor, jiných oblastech jejich význam stále veliký nezastupitelný). 1000V). S -(short) přechod B-E zkratován. c) Dynamické parametry: . Při měření pracuje tranzistor zapojení blokujícího měniče, zvyšujícího napětí hodnotu průrazného napětí. Závěrná napětí měřená dynamicky: UCE (SUS), UCE (SUS), UCE (SUS). Tj. Skupina závěrných napětí UCB UCE UCE bývá číselně téměř shodná definuje tzv. Single-tranzistory rozsahu proudů 10A jsou plně nahraditelné tranzistory MOS-FET, které jsou podstatně rychlejší (asi 5-krát) především jsou buzeny nevýkonově, pouze napěťově. R -přechod B-E překlenut odporem RBE 100Ω. Osciloskop zobrazuje průběh prac. Darlingtony rozsahu proudů 15A výše jsou zcela vytlačeny tranzistory IGBT ze stejných důvodů. Přechod B-E průběhu vypínání polarizován závěrném směru napětím UBE −5V. napěťovou třídu tranzistoru (např. Bezpečná pracovní oblast SOA: (Reverse Biased Safe Operating Area)