Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 127 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
X (neboV) -přechod B-E polarizován závěrném směru napětím UBE −5V. Při měření pracuje tranzistor zapojení blokujícího měniče,
zvyšujícího napětí hodnotu průrazného napětí.
UBE SAT -saturační napětí, měřeno při IC, +IB1.
b) Statické parametry:
h21E (hFE) proudový zesilovací činitel, měřeno při IC, UCE nebo 5V.
ICM -špičkový neopakovatelný, jednorázový, havarijní (ve smyslu jednorázového „pokusu o
vypnutí“ havarijního zkratového proudu). napěťovou třídu
tranzistoru (např.
Význam indexů:
0 -nezapojena zbývající elektroda.
Vysokonapěťové typy existují pouze provedení NPN. Tj.
S -(short) přechod B-E zkratován. Přechod
B-E průběhu vypínání polarizován závěrném směru napětím UBE −5V. Graficky ohraničená oblast výstupních V-A
charakteristikách, kterou nesmí pracovní bod průběhu vypínacího děje překročit (havárie). Osciloskop zobrazuje průběh prac. Konkrétní čísla jsou úměrná
robustnosti čipu.
R -přechod B-E překlenut odporem RBE 100Ω.
SUS -(sustain vydržet, snést) dynamické měření průrazného napětí pomocí osciloskopu v
zapisovačovém módu X-Y.
a) Mezní parametry:
Závěrná napětí měřená staticky: UCB UCE (nebo UCE V), UCE UCE UCE 0. Pozor, SOA
naprosto nesouvisí SOA (Forward Biased SOA), která týká lineárního režimu.
UCE SAT -saturační napětí, měřeno při IC, +IB1.1 Bipolární tranzistory
Jejich význam spínacích výkonových aplikacích klesá (pozor, jiných oblastech jejich význam
stále veliký nezastupitelný). Obvykle bývá ICM IC.
c) Dynamické parametry:
.
Skupina závěrných napětí UCB UCE UCE bývá číselně téměř shodná definuje tzv. musí tranzistor vstřebat bez destrukce.
Závěrná napětí měřená dynamicky: UCE (SUS), UCE (SUS), UCE (SUS).
bodu výstupních charakteristikách při vypínání proudu asi 1A, tekoucího tlumivkou
asi 2mH. 1000V). Single-tranzistory rozsahu proudů 10A jsou plně nahraditelné
tranzistory MOS-FET, které jsou podstatně rychlejší (asi 5-krát) především jsou buzeny nevýkonově,
pouze napěťově. Darlingtony rozsahu proudů 15A výše jsou zcela vytlačeny tranzistory IGBT ze
stejných důvodů. během jednoho vypnutí tranzistoru maří definovaná energie
1/2 LI2
= 1mJ. 350V).127
10.
Mezní proudy:
IC -jmenovitý, typový, trvalý stejnosměrný (při dobrém chladiči), špičkový opakovatelný
(při úmyslně poddimenzovaném chladiči). Pozor, UCE bývá podstatně nižší (např.
Bezpečná pracovní oblast SOA:
(Reverse Biased Safe Operating Area)
