Elektronická zařízení potřebují ke své činnosti zdroj elektrické energie a to nejčastěji ve formě stejnosměrného DC výkonu. Postupem času zastarala klasická koncepce napájecích zdrojů proti napájenému zařízení tak mohutně, že disproporce byla nepřiměřená. Proto je možno cca od začátku 70-tých let 20. století pozorovat snahu i renomovaných firem tuto otázku řešit. U nás jsou tyto pokusy spojeny se jménem Ing.Kabeše, ve světě s tak proslulými firmami jako Hewlett§Packard a jiné. Každý napájecí zdroj lze podle Theveninovy věty nahradit sériovým spojením ideálního zdroje napětí a jeho ...
Vydal: FEKT VUT Brno
Autor: UREL - Vlastislav Novotný, Pavel Vorel, Miroslav Patočka
Strana 130 z 139
Vámi hledaný text obsahuje tato stránku dokumentu který není autorem určen k veřejnému šíření.
Graficky ohraničená oblast výstupních V-A
charakteristikách, kterou nesmí pracovní bod průběhu vypínacího děje překročit (havárie).
Nulová dioda spolupracující tranzistorem:
trr, Qrr, Irr -zotavovací doba, zotav. 6).
UGE (th) -prahové napětí řídicí elektrody (Threshold-voltage), bývá +6V. Potřeba přesných stálých zdrojů nejčastěji stejnosměrných napětí proudů motivována
požadavky měřicí techniky etalony napětí pro číslicové měřicí přístroje voltmetry), pro A/D a
D/A převodníky atd.
CGE -vstupní kapacita řídicí elektrody, mezi G-E. Obvykle bývá ICM IC. Nevýhodou mimo vysokou cenu je
i obtížné manipulování články, nesmí převrátit ani nimi příliž pohybovat, musí asi 1/2 1
roku cejchovat přenosem hodnot pomocí jiného, cestovního etalonu atd.
b) Statické parametry:
UCE SAT -saturační napětí, měřeno při IC, UGE +15V. Referenční etalonové zdroje
Neslouží sice dodávce výkonu, ale vzhledem příbuznosti tématiky našeho předmětu určitě
patří.130
ICM -špičkový neopakovatelný, jednorázový, havarijní (ve smyslu jednorázového „pokusu o
vypnutí“ havarijního zkratového proudu). Díky PNPN struktuře tranzistor IGBT
principiálně nemá antiparalelní parazitní substrátovou diodu. souvisí vstupní kapacitou řídicí elektrody. Není
dovoleno vypínat nulovým napětím UGE 0V. Pokud pouzdro
(bezpotenciálový modul) diodu obsahuje, pak velmi rychlá dioda, obvykle vyrobená
na samostatném čipu oba čipy jsou uvnitř pouzdra elektricky propojeny požadované
konfigurace. Přitom často využívá některých vlastností polovodičových přechodů šířka
zakázaného pásma vlastnosti „proraženého“ přechodu) Jako základní publikaci lze použít [30],
[31], [32] [33].
c) Dynamické parametry:
Tranzistor:
toff -celková vypínací doba doba přesahu doba poklesu (storage time fall time), měřeno
při IC, při budicím napětí UGE ±15V. proudu. Měřeno při
komutaci dopředného jmenovitého proudu IC. náboj, resp. Zde jen vůli úplnosti připomenu, napětí Westonova článku 1,01870 s
tolerancí 100µV při =25° vnitřní odpor velký roven asi =1kΩ, teplotní stabilita není
moc dobrá běžně bývá cca 40µV proto provozují jednak skupinách skupinový etalon 6
až kusech) navíc termostatu přesností teploty 0,01°C.
ton -zapínací doba. Není možno zabudovat
. Pozor, doba toff výrazně závislá odporu RG,
který zapojen série řídicí elektrodou. špičková hodnota zotav.
11. Řídicí
elektroda průběhu vypínání polarizována závěrným napětím UGE −15V (nebo −5V).
Bezpečná pracovní oblast SOA:
(Reverse Biased Safe Operating Area).
Nejdříve stručně seznámíme dvěma fyzikálními principy, kterými lze definovat etalon napětí:
dosud stále převládá použití klasických Westonových článků byla nich zmínka kapitole těchto
skript str. nutno dodržovat výrobcem doporučenou
hodnotu
